公开(公告)号：CN118800797A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410679239.X

申请日：2024-05-29

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  汪青 ,  王中锐 ,  蒋洋 ,  杜方洲 ,  李汶懋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L23/367 ,  H01L23/34 ,  G01N27/00 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓传感器及其制备方法，所述氮化镓传感器包括外延结构，所述外延结构从上至下依次包括：势垒层、沟道层、缓冲层和衬底；其中，所述势垒层的上表面设置有源极和漏级；所述源极和漏级之间设置有若干个栅极；所述源极、漏级和栅极彼此平行且间隔排布，共同形成齿状结构；所述势垒层的上表面还设置有钝化层；所述源极、漏级和栅极均被所述钝化层覆盖；所述栅极的数量≥2。本发明提供了一种高性能、高可靠性、多功能的便携式氮化镓传感器系统，且易大规模集成和生产，对实现高性能、高可靠性、多功能的便携式氮化镓传感器系统具有重要意义。

公开(公告)号：CN115394856A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211151602.8

申请日：2022-09-21

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 程鸿宇 ,  高荣宇 ,  李汶懋 ,  邓宸凯 ,  陈建国 ,  汪青 ,  于洪宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种超级结MOSFET及其制备方法，涉及半导体领域，该超级结MOSFET在先前的柱状结构的垂直SJ MOSFET结构基础上加入了肖特基二极管结构，通过仿真软件进一步验证该新型结构的可行性。在反偏导通状态下，肖特基二极管将会处于正偏状态，将电子从漂移区域中引导出去并流过肖特基二极管，达到减少反向恢复电流以及反向恢复时间的作用，但并不会影响器件的击穿特性。同时，引入肖特基二极管的超级结MOSFET的反向恢复电流与常规的超级结MOSFET相比，反向恢复电流大小仅仅只有11.94A，反向恢复电荷也仅仅只有0.50μC，进一步说明该超级结MOSFET结构对于反向恢复电学特性的改进。

公开(公告)号：CN119730263A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411903150.3

申请日：2024-12-23

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  罗伯特·索科洛夫斯基 ,  李汶懋 ,  胡乔宇 ,  汪青

IPC: H10D8/60 ,  H10D62/10 ,  H10D8/01

Abstract: 本申请涉及一种垂直氮化镓肖特基器件结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该垂直氮化镓肖特基器件结构包括阳极、阴极、边缘终止结构，以及沿厚度方向依次层叠的非本征衬底层、缓冲层、N+通道层、N‑漂移层，边缘终止结构覆盖N‑漂移层的侧壁以及部分上表面；阳极位于N‑漂移层的其余部分上表面并延伸至边缘终止结构的部分上表面形成阳极场板，阴极位于N+通道层未被N‑漂移层覆盖的部分表面；其中，边缘终止结构的材料包括p型半导体氧化物。通过设置具有特定结构和材料的边缘终止结构，且于边缘终止结构表面设置阳极场板，两者共同作用，能够有效控制阳极边缘的电流分布，减少电流拥挤，进而有效提高器件的反向击穿电压。

公开(公告)号：CN115513292A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211237989.9

申请日：2022-10-10

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 唐楚滢 ,  傅淳 ,  汪青 ,  于洪宇 ,  杜方洲 ,  卢宏浩 ,  何佳琦 ,  邓宸凯 ,  李汶懋

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请提供一种p‑GaN欧姆栅长关型器件及其制备方法，该p‑GaN欧姆栅长关型器件的栅极金属包括设置在p‑GaN外延层表面的高亲氧性金属和设置在高亲氧性金属上的高功函数金属，在该p‑GaN欧姆栅长关型器件的制备方法过程中，利用高温退火过程中的元素反应，有效去除GaOx污染物，使栅极的高功函数金属与p‑GaN形成欧姆接触。在形成欧姆接触的同时，既不会造成化学溶液的残留，也不会对样品表面造成损伤，从而消除现有去除GaOx污染物工艺造成的降低器件性能和可靠性的危害。

公开(公告)号：CN112924515A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110077044.4

申请日：2021-01-20

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 李汶懋 ,  罗伯特·索科洛夫斯基 ,  于洪宇 ,  汪青

IPC: G01N27/416

Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，其中气体传感器包括：依次层叠的半导体衬底、缓冲层、势垒层、帽层，以及位于势垒层远离沟道层一侧的源极和漏极；还包括耐温绝缘层，耐温绝缘层设置于源极和漏极远离势垒层的一侧；耐温绝缘层覆盖势垒层和沟道层沿传感器厚度方向的侧壁，且覆盖势垒层未设置源极和漏极的区域；还包括栅极，栅极位于耐温绝缘层远离半导体衬底的一侧，且位于源极和漏极之间的感应区域。本发明实施例提供的技术方案提高了气体传感器的耐温性，扩大了测试温度的范围，增加了检测气体的范围。

公开(公告)号：CN111239224A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010138796.2

申请日：2020-03-03

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 李汶懋 ,  于洪宇 ,  罗伯特·索科洛夫斯基 ,  汪青 ,  何明浩

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：衬底；至少两个气体传感单元，位于半导体衬底上，气体传感单元包括异质结，位于异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，气体传感单元之间的异质结相互隔断，功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同，钝化层，覆盖除功能性膜层以外的全部器件区域，实现将多个不同功能的气体传感器集成，降低成本的效果。