公开(公告)号：CN119421523A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411362600.2

申请日：2024-09-27

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 李携曦 ,  程鸿宇

IPC: H10F55/255 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种盲文识别光电传感器、系统和盲文识别方法，用于对盲文板上的凸点的分布情况进行检测，盲文识别光电传感器包括：基底；至少一个氮化镓芯片，所述氮化镓芯片集成在所述基底上；透镜，所述透镜罩设在所述氮化镓芯片上方；所述氮化镓芯片用于产生发射光线，所述发射光线经所述透镜到达盲文板，所述氮化镓芯片还用对接收盲文板返回的反射光线，并输出对应的光电流信号。本发明采用了单片集成方式发光二极管(LED)‑光电探测器(PD)手段，不需要额外的光学原件，器件发光收光效率高，并且无惧环境影响。且可集成多阵列式器件识别不同的盲文系统，无需复杂的学习算法，具有对盲点识别动态响应快，重复性高的特点，可以精确识别盲文分布。

公开(公告)号：CN115394856A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211151602.8

申请日：2022-09-21

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 程鸿宇 ,  高荣宇 ,  李汶懋 ,  邓宸凯 ,  陈建国 ,  汪青 ,  于洪宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种超级结MOSFET及其制备方法，涉及半导体领域，该超级结MOSFET在先前的柱状结构的垂直SJ MOSFET结构基础上加入了肖特基二极管结构，通过仿真软件进一步验证该新型结构的可行性。在反偏导通状态下，肖特基二极管将会处于正偏状态，将电子从漂移区域中引导出去并流过肖特基二极管，达到减少反向恢复电流以及反向恢复时间的作用，但并不会影响器件的击穿特性。同时，引入肖特基二极管的超级结MOSFET的反向恢复电流与常规的超级结MOSFET相比，反向恢复电流大小仅仅只有11.94A，反向恢复电荷也仅仅只有0.50μC，进一步说明该超级结MOSFET结构对于反向恢复电学特性的改进。