公开(公告)号：CN120018568A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510169918.7

申请日：2025-02-17

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  陶文川 ,  汪青 ,  卢宏浩 ,  王沛然 ,  王子扬 ,  马晓伟

IPC: H10D64/62 ,  H10D64/01

Abstract: 本申请涉及一种无金欧姆接触电极及其制备方法和半导体器件，属于半导体器件技术领域。该无金欧姆接触电极形成于半导体器件的外延结构表面，该外延结构的最外层为p‑GaN层；无金欧姆接触电极包括依次层叠于所述p‑GaN层表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中，第一金属层的材质包括Ti、Al或Zn中的至少一种；第二金属层的材质包括Ni、Pt或Ag中的至少一种，且第二金属层的厚度为3～8nm；第三金属层的材质为Pd。该无金欧姆接触电极具有超低比接触电阻率，可大幅提高GaN p‑FETs器件性能，且不含Au，制造成本低，可同时兼容GaN CMOS和Si基CMOS工艺。

公开(公告)号：CN120018538A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510163626.2

申请日：2025-02-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  马晓伟 ,  汪青 ,  卢宏浩 ,  陶文川 ,  王子扬 ,  文康尧 ,  王沛然

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47 ,  H10D64/27 ,  H10D64/01

Abstract: 本申请涉及一种增强型氮化镓p型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该制备方法包括步骤：提供最外层为p型氮化镓层的外延片结构，p型氮化镓层中具有二维空穴气；于p型氮化镓层的表面间隔形成源极和漏极；于p型氮化镓层的表面形成栅介质结构，栅介质结构包括依次层叠的空穴隧穿层、空穴俘获层和阻挡层；于栅介质结构的表面形成栅极。通过在p型氮化镓层的表面形成具有空穴隧穿层、空穴俘获层和阻挡层的栅介质结构，对栅极施加负压完成初始化后即可实现器件增强，无需引入刻蚀工艺，从而可降低器件的泄漏电流，提高可靠性。并且，能够精确调控器件的阈值电压，降低电路设计难度，增加氮化镓p型场效应晶体管的可应用场景。

公开(公告)号：CN119997541A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510165305.6

申请日：2025-02-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  汪青 ,  卢宏浩 ,  陶文川 ,  马晓伟

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47 ,  H10D64/01 ,  H10D64/27 ,  H10D64/62 ,  H10D64/64 ,  H10D62/10

Abstract: 本申请涉及一种氮化镓基p沟道器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供最外层为p型GaN层的外延结构；于p型GaN层表面涂覆掺Mg的SOG溶液，获得中间体；对中间体进行退火处理，以在p型GaN层的表面形成掺杂区域和除掺杂区域外的非掺杂区域；于掺杂区域对应的至少部分表面形成间隔的源极、漏极和欧姆栅极；于非掺杂区域对应的部分表面形成肖特基栅极，肖特基栅极和欧姆栅极相互接触形成混合栅极，混合栅极设置在源极和漏极之间。该制备方法在无刻蚀损伤、不引入额外复杂工艺的前提下，对源极、漏极和欧姆栅极同时处理，实现低阻值源、漏欧姆接触电极制备，同时形成混合栅极结构，可有效提升器件的性能。