公开(公告)号：CN120050954A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510187728.8

申请日：2025-02-20

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  李沐峻 ,  汪青 ,  汪晓慧 ,  于浩哲 ,  汤欣怡 ,  胡典钢

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本发明提供了一种基于沟槽结构的氧化镓SBD器件，包括：阴极、Ga2O3衬底、沟槽结构；其中，沟槽结构：所述沟槽结构包括第一Ga2O3外延层，所述第一Ga2O3外延层沉积在所述Ga2O3衬底上表面；所述第一Ga2O3外延层的上表面沉积有若干个第二Ga2O3外延层，相邻的所述第二Ga2O3外延层之间形成沟槽；位于所述沟槽的下方的所述第一Ga2O3外延层的内部设置有第一高阻区；通过在沟槽区域进行Mg离子扩散，在第一Ga2O3外延层、所述第二Ga2O3外延层形成高阻区，能对沟槽底部和侧壁的电子进行耗尽，从而增强器件性能，有效降低阳极区域的尖峰电场和漏电，提升器件的击穿特性。

公开(公告)号：CN113284948B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202110745865.0

申请日：2021-07-01

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 蒋洋 ,  唐楚滢 ,  于洪宇 ,  汪青 ,  汤欣怡 ,  杜方洲

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层，外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层，金属电极层包括源漏金属层，其中，源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触，形成欧姆接触电极的机理，并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，增大金属电极层与外延层的接触面积，减小欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，通过源漏电极区域的刻蚀，实现了低温欧姆接触工艺，提高了GaN器件的整体可靠性。

公开(公告)号：CN113284948A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110745865.0

申请日：2021-07-01

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 蒋洋 ,  唐楚滢 ,  于洪宇 ,  汪青 ,  汤欣怡 ,  杜方洲

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层，外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层，金属电极层包括源漏金属层，其中，源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触，形成欧姆接触电极的机理，并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，增大金属电极层与外延层的接触面积，减小欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，通过源漏电极区域的刻蚀，实现了低温欧姆接触工艺，提高了GaN器件的整体可靠性。