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公开(公告)号：CN110504937B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910797254.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN110504937A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910797254.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN110492860A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910796382.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法。其中，方法包括：提供过渡基板，并在过渡基板上沉积氮化铝材料；对氮化铝材料进行退火处理，形成氮化铝层；在氮化铝层上形成第一电极；提供具有空腔的衬底，将氮化铝层靠近第一电极的一侧与衬底具有空腔的一侧键合，第一电极位于空腔内；去除过渡基板；在氮化铝层远离第一电极的一侧制备第二电极。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制造方法，大大提升了薄膜体声波谐振器中氮化铝材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN111030628A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911166647.0
申请日：2019-11-25
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种体声波谐振器的制备方法，该方法包括：提供压电衬底，在压电衬底上进行离子注入形成具有缺陷层连接的第一衬底和第二衬底；在第一衬底上形成金属电极，并图形化金属电极形成底部电极；将具有底部电极的压电衬底一表面键合到带有预置空腔的支撑衬底上，底部电极均位于空腔内；剥离压电衬底的第二衬底；减薄第一衬底至所需厚度；于远离底部电极的第一衬底一面上形成顶部电极。克服了常规工艺中在形成底部空腔过程中对谐振器结构产生不良影响的问题和常规工艺中金属与支撑衬底键合困难的问题，降低工艺容错度，减少工艺步骤和工艺成本，保证器件工作特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110113022B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910395470.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
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公开(公告)号：CN110417374A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910796365.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN109861662A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910111345.7
申请日：2019-02-12
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。该薄膜体声波谐振器包括：支撑层、谐振器本体和支撑体；薄膜体声波谐振器包括器件区和围绕器件区的非器件区，谐振器本体位于器件区内的支撑层上；非器件区内的支撑层包括多个条状的弯折结构，弯折结构向背离谐振器本体的一侧弯折；非器件区包括第一子区域和围绕第一子区域的第二子区域，支撑体设置于第二子区域内的所述支撑层背离谐振器本体的一侧；其中，弯折结构的延伸方向与支撑层的径向方向之间的夹角不为零，且位于谐振器本体同一侧的弯折结构相互之间无交叠。本实施例提供的薄膜体声波谐振器，可以得到厚度更小、残余应力更低的支撑层，进而提高谐振频率。
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公开(公告)号：CN110417374B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910796365.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN110113022A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910395470.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
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