公开(公告)号：CN117766580A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311604037.0

申请日：2023-11-28

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  杜方洲 ,  汪青 ,  文康尧 ,  蒋洋 ,  唐楚滢 ,  张一 ,  邓宸凯

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种GaN基反相器，所述GaN基反相器包括外延基底，所述外延基底上开设有沟道隔离槽，所述沟道隔离槽两侧分别设置有E‑mode器件和D‑mode器件，所述E‑mode器件和D‑mode器件之间通过金属连线相连；本发明在D‑mode HEMT器件上应用相同CTL介质层，实现对D‑mode阈值电压的调控，进而影响D‑mode器件的导通电阻，以调控E/D‑mode器件在即将导通和导通状态下的电阻比例，优化反相器的输出摆幅和增益特性；通过调整GaN D‑mode器件阈值电压，优化反相器的输出摆幅和增益特性，最大限度提升了GaN基反相器的工作性能。

公开(公告)号：CN120018538A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510163626.2

申请日：2025-02-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  马晓伟 ,  汪青 ,  卢宏浩 ,  陶文川 ,  王子扬 ,  文康尧 ,  王沛然

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47 ,  H10D64/27 ,  H10D64/01

Abstract: 本申请涉及一种增强型氮化镓p型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该制备方法包括步骤：提供最外层为p型氮化镓层的外延片结构，p型氮化镓层中具有二维空穴气；于p型氮化镓层的表面间隔形成源极和漏极；于p型氮化镓层的表面形成栅介质结构，栅介质结构包括依次层叠的空穴隧穿层、空穴俘获层和阻挡层；于栅介质结构的表面形成栅极。通过在p型氮化镓层的表面形成具有空穴隧穿层、空穴俘获层和阻挡层的栅介质结构，对栅极施加负压完成初始化后即可实现器件增强，无需引入刻蚀工艺，从而可降低器件的泄漏电流，提高可靠性。并且，能够精确调控器件的阈值电压，降低电路设计难度，增加氮化镓p型场效应晶体管的可应用场景。