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公开(公告)号：CN110504937B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910797254.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN110504937A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910797254.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN110492860A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910796382.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法。其中，方法包括：提供过渡基板，并在过渡基板上沉积氮化铝材料；对氮化铝材料进行退火处理，形成氮化铝层；在氮化铝层上形成第一电极；提供具有空腔的衬底，将氮化铝层靠近第一电极的一侧与衬底具有空腔的一侧键合，第一电极位于空腔内；去除过渡基板；在氮化铝层远离第一电极的一侧制备第二电极。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制造方法，大大提升了薄膜体声波谐振器中氮化铝材料的晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109888002A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135385.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种具有超级结栅结构的常关型氮化镓场效应管及制造方法，该常关型氮化镓场效应管包括半导体基底、氮化镓衬底、氮化镓沟道层、氮化镓铝势垒层、钝化层、第一栅介质层、第二栅介质层、控制栅、源极和漏极，第一栅介质层和所述第二栅介质层形成超级结接触。本发明的有益效果是：本发明的常关型氮化镓场效应管的栅极包含一个超级结。具体的栅结构包含第一栅介质层和第二栅介质层。其中第一栅介质层可将沟道中的电子耗尽，实现常关型接触。第二栅介质层在第一栅介质层之上，和第一栅介质层形成超级结接触。该超级结可以增大p型栅的耐压，并减小栅极漏电。更重要的是，该超级结具有雪崩击穿或者齐纳击穿能力，显著提高栅极可靠性。
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公开(公告)号：CN110417374B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910796365.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN110113022A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910395470.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
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公开(公告)号：CN110113022B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910395470.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
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公开(公告)号：CN110417374A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910796365.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 南方科技大学 , 苏州晶湛半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
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