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公开(公告)号：CN112802820A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110055167.8
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了基于硅铝合金垂直互连封装基板和LCP重布线的三维封装结构及制备方法，该三维封装结构包括三维封装结构包含硅铝合金垂直互连封装基板、LCP气密键合层、LCP重布线层，硅铝合金垂直互连封装基板至少包括第一硅铝合金垂直互连封装基板、第二硅铝合金垂直互连封装基板；第一硅铝合金垂直互连封装基板和第二硅铝合金垂直互连封装基板之间通过LCP气密键合层热压键合形成互连及气密腔体，气密腔体内的第一、第二硅铝合金垂直互连封装基板表面通过热压键合LCP重布线层；三维封装结构的上表面和底部分别热压键合LCP重布线层。采用热压键合的方法将硅铝合金和LCP材料结合在一起，制备了三维封装结构，可满足微电子封装小型化、高性能、多功能的需求。
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公开(公告)号：CN112802809A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110055168.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L21/768 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开了一种硅铝合金封装基板及其制备方法，该硅铝合金封装基板的基体材料为硅铝合金，所述封装基板上设有曲面天线共型贴装平台、微波信号屏蔽腔体以及平面转接板，所述曲面天线共型贴装平台用于天线共型贴装，所述微波信号屏蔽腔体用于微波信号电路集成，所述封装基板为垂直互连封装基板。本发明提供的硅铝合金封装基板将转接板、微波屏蔽腔体、曲面天线共型贴装平台集中在封装基板上，实现了结构一体成型、一致性，简化了硅铝合金封装基板制备工序，结构强度高，同时实现了结构与功能一体化。本发明还提供了该封装基板的制造方法，该方法相对于传统封装基板制备工艺具有可操作性强，耗时短，成本低，可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN111987010A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910424009.8
申请日：2019-05-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片的自动共晶焊接方法，包括：对载体、焊料片和功率芯片进行预处理；对载体进行预热；在载体上放置焊料片；使用自动拾取吸头拾取功率芯片，自动拾取吸头将功率芯片放置在焊料片上进行热压并进行刮擦；自动拾取吸头取回共晶完成后的功率芯片。该种功率芯片的自动共晶焊接方法具有高共晶效率及高焊接质量。本发明还提供了一种功率芯片的自动共晶焊接的拾取吸头，包括：斜边卡槽，包括底槽、斜向卡板，斜向卡板布设在底槽相对的侧边，且朝向底槽的外侧倾斜，底槽开设有通孔；和吸管，吸管的一端固连于通孔。
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公开(公告)号：CN111628263A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010503677.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形三维微波导制造方法及微波导，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽对多层LCP电路板进行切割至第一金属层生成内腔体；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压，另一LCP电路板封盖内腔体的下侧面具有第二金属层。本发明中两个金属侧壁，由层压后的LCP多层板激光加工沟槽后，精密电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长，工艺复杂的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111586964A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010452073.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法及微波组件，包括LCP多层板、芯片以及LCP盖板；所述LCP多层板设置有一芯片埋置槽；所述芯片设置在所述芯片埋置槽内；所述LCP盖板设置在所述芯片埋置槽的槽口上，用于将所述芯片封闭在所述芯片埋置槽。本发明基于LCP基板进行高密度高频微波组件的制备，通过高频稳定性好损耗低的LCP基板进行组件的布线及气密封装，解决常用射频基板应用频率低的问题，相比高频应用的LTCC等基板实现了一体化气密封装的应用，解决了借助金属壳体气密所导致的体积大质量大的问题，实现高频微波组件的轻量化、小型化封装，并基于柔性基板可实现组件的柔性弯曲，与曲面系统共形。
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公开(公告)号：CN110634792A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910922962.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请提供了一种电气互连基板制造方法，该方法包括以下步骤：S1：根据通孔在布线层中的预设位置，在基板上开设通孔和定位标记；S2：在所述基板的第一表面设置金属层；S3：所述基板的金属层一面预留触点，在金属层表面设置介质保护层；S4：所述基板通过导电材料填充所述通孔；S5：在所述基板的第二表面设置金属层；S6：分别在所述基板的第一表面和第二表面设置单面电路布线层；其中，所述第一表面的电路通过通孔中的导电材料与所述第二表面的电路典型连接。本发明提供的基于激光纳米加工技术的电气互连LCP基板制造方法，制作流程简洁，加工精度高，通孔内部无空洞，互连可靠，有效提高了柔性基板三维封装的密度和可靠性。
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公开(公告)号：CN110536568A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910922961.0
申请日：2019-09-26
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种多层电路板键合定位方法，该方法包括以下步骤：切割第一电路板的外形和初始定位标记M0；切割第二电路板的外形；将第一电路板与第二电路板通过真空加热键合为第一多层板；根据初始定位标记M0对第一多层板进行加工，设置第一镂空定位标记M1；第一镂空定位标记M1在第二电路板的表面制作电路；切割第三电路板外形；将第一多层板、第三电路板通过真空加热键合为第二多层板；根据初始定位标记M0对第二多层板加工，设置第二镂空定位标记M2；根据第二镂空定位标记M2，在第三电路板的表面制作电路，从而使第三电路板上的电路布线与第一电路板、第二电路板的电路精密键合定位；重复以上步骤实现多层电路板的高精密键合定位。
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公开(公告)号：CN221977873U
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202420518718.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种用于固化S i C晶片和S iO2晶片的对位夹具，包括：夹具底座，包括通过第一连接件相接的固定底座和限位座；水平滑块组件，设于所述固定底座上方并通过第一压合件与所述固定底座相接；晶片放置槽，设于所述水平滑块组件上端面；三轴固定装置，可调节设于所述水平滑块组件上，用于对晶片进行X、Y、Z三个方向的限位；旋转移动螺栓，贯穿所述限位座穿设于所述水平滑块组件中，用于对晶片进行X方向的限位调节，所述旋转移动螺栓由所述限位座限位。本实用新型中设有三轴固定装置，可以使碳化硅晶片和二氧化硅晶片在固化时保证X、Y、Z三个方向位置相互固定，不会产生微小位移。
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公开(公告)号：CN220798685U
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202321764326.2
申请日：2023-07-06
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种基于LCP曲面的多通道微波组件，包括：壳体，所述壳体中间设置有用于冷却的流体通道，所述流体通道形成流体回路，所述壳体的侧边设置有的开窗；LCP曲面微波基板，呈U形且包括U形的容置空间，所述LCP曲面微波基板通过所述开窗装配在所述壳体内，且通过所述容置空间容纳所述流体通道；盖板，封闭所述开窗，以形成闭合结构。本实用新型利用LCP弯曲可塑特性，配合壳体结构能够将整体尺寸比缩小一半以上，降低了组件结构翘曲发生，最终实现微波组件更高密度的封装。
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