一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN104900628B

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201510348146.X

    申请日:2015-06-23

    CPC classification number: H01L2224/16225 H01L2224/48227 H01L2924/15311

    Abstract: 本发明公开了一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构及其制作方法,该结构包括:实心金属通柱、金属屏蔽层和金属氧化物;其中:实心金属通柱为封装基板内任意层间垂直互连的金属导体;金属屏蔽层为包围实心金属通柱的环形金属屏蔽层;金属氧化物为实心金属通柱和金属屏蔽层之间的环形绝缘介质。该方法包括:第一次光刻在一基板上下表面形成垂直互连结构的图形掩膜;进行致密型阳极氧化;去除垂直互连结构的图形掩膜,第二次光刻在基板上下表面形成实心金属通柱的图形掩膜和金属屏蔽层的图形掩膜;进行穿透型阳极氧化;去除实心金属通柱的图形掩膜和金属屏蔽层的图形掩膜。本发明的垂直互连结构及其制作方法,有效解决了电磁泄漏问题。

    一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN104125710A

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201410394186.3

    申请日:2014-08-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法。该基板包括:有多孔氧化铝介质的铝合金基板;位于铝合金基板第一表面的第一布线层;埋置于铝合金基板中的第二布线层;位于铝合金基板第二表面的第三布线层;以及贯穿铝合金基板第一表面及第二表面的铝全通柱和/或未贯穿铝合基板的铝半通柱。该基板制造方法包括以下步骤:对铝合金基板进行预处理、第一步光刻涂胶;第一步光刻;致密型阳极氧化、第一次去胶;第二步光刻涂胶、第二步光刻;穿透型阳极氧化、第二次去胶。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的基板及其制作方法,制作流程简洁,基板热导率高,热膨胀系数可调,提高了三维封装的可靠性。

    LCP多层柔性电路板曲面成型方法
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114698267A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202110908257.7

    申请日:2021-08-09

    Abstract: 本发明提供了一种LCP多层柔性电路板曲面成型方法,包括:根据共形平台加工第一底座,第一底座具有小于共形平台弯曲角度的成型曲面,第一底座上设置有第一压块,第一压块的凸头与第一底座的弯曲弧度相匹配;将平面LCP多层基板放置于第一底座上,压上第一压块,保温后取出;加工第二底座,第二底座具有大于第一底座弯曲角度的成型曲面,第二底座上设置有第二压块;将弯曲LCP多层基板放置于第二底座上,压上第二压块,保温后取出。每次对底座可增加5°~15°,通过多次阶梯递进弯曲角度实现最终所述LCP多层基板的弯曲成型。本发明能够有效降低LCP多层基板一次弯曲成型过程中应力过大导致的与平台不贴合,有效降低基板弯曲应力。

    基于LCP的多层矩形三维微波导制造方法及微波导

    公开(公告)号:CN111628263B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202010503677.2

    申请日:2020-06-04

    Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形三维微波导制造方法及微波导,包括:对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板,目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面有第一金属层;对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽,沟槽延伸至第一金属层;以第一金属层为阴极,沟槽为模具,对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面;在两沟槽对多层LCP电路板进行切割至第一金属层生成内腔体;将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压,另一LCP电路板封盖内腔体的下侧面具有第二金属层。本发明中两个金属侧壁,由层压后的LCP多层板激光加工沟槽后,精密电铸铜填充形成,减少了层压次数,解决了叠层周期长,工艺复杂的问题。

    一种基于铝硅合金的BGA互连载体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112928099A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110175993.6

    申请日:2021-02-09

    Abstract: 本发明提供了一种基于铝硅合金的BGA互连载体,包括铝硅基板、金属层和锡层,铝硅基板于电气互连处加工有若干通柱,通柱与铝硅基板之间具有将通柱与铝硅基板隔离的环形通槽,环形通槽内填充有绝缘浆料,金属层包括上金属层和下金属层,上金属层从下至上依次包括第一镍层、第一金层,下金属层从上至下依次包括第二镍层、第二金层,锡层覆于上金属层和/或下金属层上,锡层和第一金层和/或第二金层形成阵列式的金锡焊料焊盘,金锡焊料焊盘上用于贴装元器件,以铝硅合金作为基板,具有与芯片热膨胀系数匹配、热传导率高和密度低的优点,预制金锡焊盘的BGA互连载体提高了芯片的封装效率,可广泛用于铝硅封装的微波组件。

    一种集成封装天线及其封装方法

    公开(公告)号:CN112820721A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202110056692.1

    申请日:2021-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种集成封装天线,包括至少一个半导体芯片及由上至下依次层压的天线模块基板、铝硅转接板及射频模块基板,天线模块基板包括天线层LCP基体及分别设于天线层LCP基体的顶面和底面的天线图形层和天线接地层,射频模块基板包括射频层LCP基体及分别设于射频层LCP基体的顶面和底面的射频接地层和射频传输布线层,本发明通过低介电常数、低吸湿率、高频稳定性好、损耗低的LCP基板进行天线和射频模块的布线,解决常用转接板散热相对较差、不可作为机械支撑的问题,相比传统的硅转接板或LTCC基板,可以降低成本,并提高散热,同时,本发明完成基板和壳体的集成,实现基板和壳体的结构功能一体化,获得天线模块与射频模块的集成、小型化、轻量化封装。

    一种芯片屏蔽与气密封装方法和封装结构

    公开(公告)号:CN112820694A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202110056690.2

    申请日:2021-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种芯片屏蔽与气密封装方法,在铝硅基板的芯片埋置处加工芯片埋置槽,并将芯片贴装于芯片埋置槽内,再将多层LCP基板根据电路进行光刻,多层LCP基板层压形成气密盖板,最后将气密盖板和贴装有芯片的铝硅转接板进行层压,通过高频、稳定性好、损耗低且气密的LCP基板进行布线和气密,使用铝硅转接板进行散热和芯片屏蔽,通过将裸芯片埋置于铝硅材料内,以LCP基板进行电性能传输的同时对裸芯片进行气密,相比铝硅壳体与铝合金气密封焊的方法,不仅可提高芯片的散热性能,同时通过铝硅金属腔体对芯片进行屏蔽保护,还可提高组件的集成度,降低组件体积和质量。

    一种可重构三维微系统封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN111613588A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010175558.9

    申请日:2020-03-13

    Abstract: 本发明公开了一种可重构三维微系统封装结构及封装方法,通过将可重构三维微系统封装结构的内部分为若干个相互电信号连通的二维子系统模块,并分别在二维子系统模块内设置包括有侧面互连部、面内通孔互连部和面内垂直互连部的测试互连结构,相邻的二维子系统模块通过各自的测试互连结构相连接实现电信号连接;且二维子系统模块可通过该测试互连结构进行独立测试和筛选,成为已知好的二维子系统模块,提高了三维微系统架构自由度和各子模块可测性,可避免子系统模块早期失效导致整个三维微系统无法使用,简单一体化设计不能兼顾通用性和特殊应用、高成本长周期微系统开发不匹配应用需求演进等问题,体现综合电子微系统的三维可重构要求。

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