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公开(公告)号：CN113921503B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202111160165.1
申请日：2021-09-30
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种芯片屏蔽互连转接板及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：分别将LCP布线底板、LCP粘结层、LCP布线顶板进行对位层压，通过激光打孔、化学沉铜，形成基板互连铜柱；利用屏蔽腔固定工装将LCP基板芯片屏蔽腔垂直固定；将芯片、有源/无源器件贴装后，引线键合，利用灌封工装完成灌封，实现芯片屏蔽互连转接板制作。本发明提供的一种芯片屏蔽互连转接板及其制备方法，该转接板是利用LCP可弯折的柔性基板特性，将特定功能芯片进行有效屏蔽与互连，并通过灌封实现与外部器件的高密度互连，具有屏蔽效果好，工艺实现简单，集成度高等优势，可满足多芯片电路系统等小型化、多功能、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN115347061B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210985706.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H10F77/40 , H10F77/20 , H10F77/1226 , H10F30/10
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装领域，特别是涉及一种异面正对圆电极高耐压碳化硅光导开关。本发明所提供的光导开关包括碳化硅半绝缘晶片、输入电极和输出电极。输入电极和输出电极在晶片两侧呈异面正对设置，在电极周围分别设置有多个不同直径的同心圆环形槽体，圆环形槽体上面有钝化层。本发明通过圆环形槽体的设置，延长了输入电极和输出电极在晶片表面的沿边距离，大大降低了晶片沿边闪络击穿风险，降低电极边缘场强，并通过将电极正对设置，提高了电场均匀性，避免导通瞬间电场畸变，从而提升了光导开关的耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN116299845B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310136894.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种光波导与碳化硅小尺寸界面异质键合方法，包括：选择SiC晶片，在SiC晶片上制备SiO2钝化层；在所述SiC晶片侧边连接SiO2光波导,所述SiO2光波导进光的一侧镀空气与SiO2增透膜，与SiC晶片连接的一侧镀SiO2与SiC增透膜；将SiO2光波导与SiC晶片进行对位；通过SiO2光波导对SiC晶片相对的两侧同时加热且施加压力，以键合SiO2光波导；通过热压实现SiC上SiO2钝化层与增透膜上SiO2的原子间扩散互连。本发明能解决小尺寸半导体界面异质键合问题，提高了半导体器件的耐击穿强度。
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公开(公告)号：CN114649684B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110967907.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01Q13/02
Abstract: 本发明公开了一种波纹馈源喇叭叠片堆叠方法及装置，包括装配组件、两自由度恒压组件、加热组件和激光无损切割组件。步骤包括对叠片按堆叠次序进行精密装配，形成叠片组合；对叠片组合分别施加径向与轴向的恒定压力；将受压后的叠片组合进行真空加热，以进行金‑金键合，得到键合为一体的叠片组合；对键合为一体的叠片组合进行激光无损切割，获得多个波纹馈源喇叭。本发明使基于精密制造技术的堆叠制造成为可能，解决了具有微小结构的叠片的装配与加压的问题，且一次性成型与收集多个馈源喇叭。与传统技术相比具有位姿灵活可调，可提供恒定压力的优点，能够保证热压键合的品质，适合批量生产的特点。
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公开(公告)号：CN112002770B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010843478.6
申请日：2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电极预置焊料的光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极，两个电极设置于碳化硅衬底的第一表面和或第二表面上，电极包括依次堆叠的Ni层、TiW层、Pt层、第一Au层、第二Au层及Sn层，且Ni层位于靠近碳化硅衬底一侧，其中第二Au层和Sn层形成共晶焊料层，传统的焊料片熔化焊接方式存在着放置精度差，焊料片较厚，焊接后易形成凸起导致电荷集中，通过在电极上预置焊料膜层的方式可精准控制焊料定位，同时可有效控制焊料厚度及形状，提高光导开关的电极连接可靠性，从而提升光导开关的耐压能力及可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146155B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010001318.7
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/14 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种微波功放芯片载体及其制备方法，该微波功放芯片载体包括：高硅铝合金基板、芯片垫块和薄膜电容，其中芯片垫块包括芯片焊接金属层和载体焊接金属层，薄膜电容包括粘结层、介质层和电极金属层。该制造方法包括以下步骤：提供一表面抛光的高硅铝合金基板，在基板第一表面上的薄膜电容区域依次形成粘结层和介质层；在基板第一表面的芯片焊接区和薄膜电容介质层表面形成金属层；在基板第二表面上形成载体焊接金属层后进行划片。本发明提供的微波功放芯片载体及制造方法，将微波功放芯片垫块和芯片电容集成为一体，能够有效减少微波组件制造工艺步骤并降低工艺难度，此外该芯片载体还具备优异的散热性能、接地性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN111081674B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010002829.0
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L23/14 , H01L21/48 , B22F7/08
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金转接板及其制备方法，该转接板包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。采用本发明提供的方法制备的转接板结合界面牢固、可靠、气密性好，由于盲孔中心连接柱本身具备导电性，可直接用于电气互联，可省去通孔金属化过程，简化了转接板制备工艺流程，降低了转接板制备的时间和成本。
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公开(公告)号：CN113921503A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111160165.1
申请日：2021-09-30
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种芯片屏蔽互连转接板及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：分别将LCP布线底板、LCP粘结层、LCP布线顶板进行对位层压，通过激光打孔、化学沉铜，形成基板互连铜柱；利用屏蔽腔固定工装将LCP基板芯片屏蔽腔垂直固定；将芯片、有源/无源器件贴装后，引线键合，利用灌封工装完成灌封，实现芯片屏蔽互连转接板制作。本发明提供的一种芯片屏蔽互连转接板及其制备方法，该转接板是利用LCP可弯折的柔性基板特性，将特定功能芯片进行有效屏蔽与互连，并通过灌封实现与外部器件的高密度互连，具有屏蔽效果好，工艺实现简单，集成度高等优势，可满足多芯片电路系统等小型化、多功能、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN111146051A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010002835.6
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹级折叠波导行波管的电子束孔成形装置及方法，采用光刻蚀技术在固丝部上形成限位槽，通过阶段性的槽宽渐变实现成孔丝的限位及防摆动，保证电子束孔的位置精度以及高平行度；通过重力环将成孔丝绷直，且成孔丝无弹性形变，保证电子束孔的高直线度；在基板表面通过光刻胶形成高度限制台阶，辅以微电铸、光刻等半导体工艺最终形成电子束孔，保证电子束孔具有高的尺寸精度。
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公开(公告)号：CN221951615U
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202420508331.5
申请日：2024-03-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: B05C13/02
Abstract: 本实用新型提供了一种用于微波组件射频玻璃绝缘子涂胶夹持装置，包括：套筒限位器、花心夹、弹性件和套筒，沿套筒限位器周向设有限位凸缘，套筒限位器在限位凸缘的一侧轴向延伸，依次具有第一轴段和第二轴段，第一轴段的直径大于第二轴段；花心夹的第一端与套筒限位器固定，花心夹的第二端端面沿轴向设有向套筒限位器延伸的凹槽；弹性件套设在第二轴段和花心夹靠近第二轴段的部分上；限位凸缘的直径大于套筒的直径，套筒套设在第一轴段、第二轴段、弹性件和花心夹上；花心夹全部位于套筒内状态时，套筒与花心夹的第二端配合，花心夹的第二端收缩变形夹紧金属杆芯。本实用新型可有效提升微波组件射频玻璃绝缘子涂胶效率和质量。
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