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公开(公告)号：CN110634792B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201910922962.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请提供了一种电气互连基板制造方法，该方法包括以下步骤：S1：根据通孔在布线层中的预设位置，在基板上开设通孔和定位标记；S2：在所述基板的第一表面设置金属层；S3：所述基板的金属层一面预留触点，在金属层表面设置介质保护层；S4：所述基板通过导电材料填充所述通孔；S5：在所述基板的第二表面设置金属层；S6：分别在所述基板的第一表面和第二表面设置单面电路布线层；其中，所述第一表面的电路通过通孔中的导电材料与所述第二表面的电路典型连接。本发明提供的基于激光纳米加工技术的电气互连LCP基板制造方法，制作流程简洁，加工精度高，通孔内部无空洞，互连可靠，有效提高了柔性基板三维封装的密度和可靠性。
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公开(公告)号：CN112002769B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010844638.9
申请日：2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种耐高压光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极柱，碳化硅衬底包括相对的第一表面和第二表面，两个电极柱分别对称设置于碳化硅衬底的第一表面和第二表面上，碳化硅衬底的第一表面和第二表面上还分别键合有环绕电极柱的绝缘介质层，通过在碳化硅晶片的上下表面键合介电常数与其相近的绝缘材料，降低电极边缘场强，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN111293102B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010107752.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种基板混合薄膜多层布线制作方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板，薄膜沉积铝复合膜层，进行铝选择性阳极氧化，在多孔氧化铝结构中形成铝布线绝缘层，在铝膜中形成芯片散热结构和金属铝柱阵列；再次进行薄膜沉积铝膜，进行铝选择性阳极氧化，依次重复，制备出Al2O3/Al薄膜多层布线层；在其上薄膜沉积铜复合膜层，采用光刻工艺制作铜薄膜导带，制作BCB介质膜通孔；再采用薄膜沉积、光刻工艺制作顶层薄膜导带和焊盘，以制备出BCB/Cu薄膜多层布线层。克服薄膜布线层数无法增加，BCB应力累积造成的互连可靠性差、软基材组装困难等问题，并且在基板上进行高密度布线互连，可满足高功率芯片和大规模集成电路等小型化、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN113990763A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111261660.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种基于精密电铸技术的芯片封装方法。包括以下步骤：先选择一基板并前处理，表面金属化；接着根据电路版图，在基板上芯片键合区域预制焊料；再根据电路版图，制作芯片埋置掩膜，精密电铸芯片埋置腔体；最后芯片键合、布线互连。本发明以精密电铸技术实现芯片封装位置与深度的精确控制，定位精度高,腔体尺寸与芯片尺寸匹配,并且埋置腔体底部预制焊料，有效解决芯片在不同材料基板内的低成本、高精度、高效率封装问题。
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公开(公告)号：CN113225920A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110523519.8
申请日：2021-05-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种LCP柔性基板微流道制备方法，包括如下步骤：首先提供若干LCP基板及连接层，LCP基板包括顶层LCP基板、底层LCP基板及至少一片中间LCP基板；然后于顶层LCP基板及中间LCP基板的第一表面上分别预固化一层连接层，预固化温度为130℃～150℃，预固化时间为20s～40s；接着于至少一片中间LCP基板上激光加工微流道槽；最后将顶层LCP基板、若干中间LCP基板、底层LCP基板依次堆叠层压，各层LCP基板之间通过连接层进行键合连接，选用高频稳定性好损耗低且气密的LCP基板进行布线，并采用激光于中间LCP基板上加工微流道槽，解决LCP有机基板散热性差的问题，可实现基板与散热结构的一体化，提升柔性有机基板的散热性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349925B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910640860.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种叠层封装基板及其制备方法，该基板包括：导热衬底、若干薄膜电阻、若干薄膜电容、叠层布线、铝通柱、多孔介质、导带；其中，叠层布线为在导热衬底的抛光表面上阳极氧化制作而成，叠层布线包括从导热衬底上依次排布的第一层布线层、第二层布线层、第三层布线层…第n层布线层，薄膜电阻和薄膜电容均埋置于布线层内，铝通柱埋置于布线层内或者位于基板表面。本发明克服了现有封装基板中精度难以控制、散热性能差、工序复杂等问题。
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公开(公告)号：CN112151512A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011029235.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种微型芯片电容及其制造方法。该芯片电容包括：依次层叠的预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层，电极层。其制造方法包括：S1：提供一铝硅合金衬底并前处理；S2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层；S3：在所述阻挡层上镀金，形成预制焊料金层；在所述黏结层上镀上导电层；S4：在导电层上溅射介质层、电极层；S5：在所述预制焊料金层上通过电沉积锡，形成预制焊料锡层；S6：划片得到独立的微型芯片电容。本发明以铝硅合金作为衬底，衬底无需抛光、无需溅射打底层、电容面积大、制作周期短，降低了微型芯片电容的装配难度。
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公开(公告)号：CN111952707A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010503676.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形微同轴射频传输线制造方法及传输线，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面具有第一金属区域，下表面具有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽与第一金属区域之间的目标多层LCP电路板进行切割形成支撑体和内腔体，用支撑用于支撑第一金属区域；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压。本发明中金属侧壁，由层压后的多层板激光加工沟槽后，电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长的问题。
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公开(公告)号：CN110400741A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910681247.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L23/64
Abstract: 本发明提出了一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法，在干净的LCP基板覆铜面电镀Ni/Pd/Au层，无覆铜表面溅射薄膜电阻层和导带层，进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制备出电阻和导带，然后采用lift-off工艺，在LCP基板上制作出电容层，最后表面溅射薄膜导带层，并进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制作出电容上电极和导带，完成LCP柔性基板无源阻容元件的制备。该制作方法利用薄膜溅射工艺，可一次性在LCP基板上同时制作出薄膜电阻和薄膜电容，并可制作薄膜阻容网络，实现阻容元件的薄膜集成化、高精度控制，应用在高频器件LCP系统级封装中进行无源阻容元件的埋置，可大大节约LCP柔性基板表面空间，提高基板组装密度。
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公开(公告)号：CN104125710B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410394186.3
申请日：2014-08-12
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法。该基板包括：有多孔氧化铝介质的铝合金基板；位于铝合金基板第一表面的第一布线层；埋置于铝合金基板中的第二布线层；位于铝合金基板第二表面的第三布线层；以及贯穿铝合金基板第一表面及第二表面的铝全通柱和/或未贯穿铝合基板的铝半通柱。该基板制造方法包括以下步骤：对铝合金基板进行预处理、第一步光刻涂胶；第一步光刻；致密型阳极氧化、第一次去胶；第二步光刻涂胶、第二步光刻；穿透型阳极氧化、第二次去胶。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的基板及其制作方法，制作流程简洁，基板热导率高，热膨胀系数可调，提高了三维封装的可靠性。
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