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公开(公告)号：CN114698267A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110908257.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种LCP多层柔性电路板曲面成型方法，包括：根据共形平台加工第一底座，第一底座具有小于共形平台弯曲角度的成型曲面，第一底座上设置有第一压块，第一压块的凸头与第一底座的弯曲弧度相匹配；将平面LCP多层基板放置于第一底座上，压上第一压块，保温后取出；加工第二底座，第二底座具有大于第一底座弯曲角度的成型曲面，第二底座上设置有第二压块；将弯曲LCP多层基板放置于第二底座上，压上第二压块，保温后取出。每次对底座可增加5°～15°，通过多次阶梯递进弯曲角度实现最终所述LCP多层基板的弯曲成型。本发明能够有效降低LCP多层基板一次弯曲成型过程中应力过大导致的与平台不贴合，有效降低基板弯曲应力。
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公开(公告)号：CN111628263B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010503677.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形三维微波导制造方法及微波导，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽对多层LCP电路板进行切割至第一金属层生成内腔体；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压，另一LCP电路板封盖内腔体的下侧面具有第二金属层。本发明中两个金属侧壁，由层压后的LCP多层板激光加工沟槽后，精密电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长，工艺复杂的问题。
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公开(公告)号：CN112928099A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110175993.6
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种基于铝硅合金的BGA互连载体，包括铝硅基板、金属层和锡层，铝硅基板于电气互连处加工有若干通柱，通柱与铝硅基板之间具有将通柱与铝硅基板隔离的环形通槽，环形通槽内填充有绝缘浆料，金属层包括上金属层和下金属层，上金属层从下至上依次包括第一镍层、第一金层，下金属层从上至下依次包括第二镍层、第二金层，锡层覆于上金属层和/或下金属层上，锡层和第一金层和/或第二金层形成阵列式的金锡焊料焊盘，金锡焊料焊盘上用于贴装元器件，以铝硅合金作为基板，具有与芯片热膨胀系数匹配、热传导率高和密度低的优点，预制金锡焊盘的BGA互连载体提高了芯片的封装效率，可广泛用于铝硅封装的微波组件。
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公开(公告)号：CN112820721A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110056692.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/00
Abstract: 本发明公开了一种集成封装天线，包括至少一个半导体芯片及由上至下依次层压的天线模块基板、铝硅转接板及射频模块基板，天线模块基板包括天线层LCP基体及分别设于天线层LCP基体的顶面和底面的天线图形层和天线接地层，射频模块基板包括射频层LCP基体及分别设于射频层LCP基体的顶面和底面的射频接地层和射频传输布线层，本发明通过低介电常数、低吸湿率、高频稳定性好、损耗低的LCP基板进行天线和射频模块的布线，解决常用转接板散热相对较差、不可作为机械支撑的问题，相比传统的硅转接板或LTCC基板，可以降低成本，并提高散热，同时，本发明完成基板和壳体的集成，实现基板和壳体的结构功能一体化，获得天线模块与射频模块的集成、小型化、轻量化封装。
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公开(公告)号：CN112820694A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110056690.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/02 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种芯片屏蔽与气密封装方法，在铝硅基板的芯片埋置处加工芯片埋置槽，并将芯片贴装于芯片埋置槽内，再将多层LCP基板根据电路进行光刻，多层LCP基板层压形成气密盖板，最后将气密盖板和贴装有芯片的铝硅转接板进行层压，通过高频、稳定性好、损耗低且气密的LCP基板进行布线和气密，使用铝硅转接板进行散热和芯片屏蔽，通过将裸芯片埋置于铝硅材料内，以LCP基板进行电性能传输的同时对裸芯片进行气密，相比铝硅壳体与铝合金气密封焊的方法，不仅可提高芯片的散热性能，同时通过铝硅金属腔体对芯片进行屏蔽保护，还可提高组件的集成度，降低组件体积和质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111613588A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010175558.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种可重构三维微系统封装结构及封装方法，通过将可重构三维微系统封装结构的内部分为若干个相互电信号连通的二维子系统模块，并分别在二维子系统模块内设置包括有侧面互连部、面内通孔互连部和面内垂直互连部的测试互连结构，相邻的二维子系统模块通过各自的测试互连结构相连接实现电信号连接；且二维子系统模块可通过该测试互连结构进行独立测试和筛选，成为已知好的二维子系统模块，提高了三维微系统架构自由度和各子模块可测性，可避免子系统模块早期失效导致整个三维微系统无法使用，简单一体化设计不能兼顾通用性和特殊应用、高成本长周期微系统开发不匹配应用需求演进等问题，体现综合电子微系统的三维可重构要求。
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公开(公告)号：CN104157580B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410395319.9
申请日：2014-08-12
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于铝阳极氧化技术的埋置芯片互连封装方法和结构。选择低成本的铝片作为芯片埋置基板，以铝阳极氧化技术制备出双面多孔型氧化铝膜；利用矩形环铝腔保护，及多孔型氧化铝膜选择性腐蚀的特性，获得埋置芯片的腔体结构，完成芯片共面埋置；通过正面介质层填充光刻及薄膜金属层布线等工艺，完成埋置芯片互连。本发明定位精度高，且埋置腔尺寸与芯片匹配性好，有效解决不同芯片尺寸的低成本、高精度共面埋置问题；并且利用背面铝通柱设计可很好地解决芯片散热问题；具有低介电常数的介质层可充当芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、多孔氧化铝深沟槽填充物，尤其能够解决铝基板表面平坦化、改善基板弯曲或翘曲的问题，满足薄膜工艺。
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公开(公告)号：CN106409690A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610873911.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
CPC classification number: H01L21/4878 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法，包括以下步骤：S1：选择一基板；S2：在所述基板上通过介质层光刻及金属化布线实现多层电路的连接形成布线层，在形成布线层时，根据芯片在所述布线层中的预设位置，采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设埋置槽，并将芯片安装于所述埋置槽中；S3：将芯片与布线层进行互连。并根据芯片位于布线层的位置具体分为芯片先置型埋入、芯片中置型埋入及芯片后置型埋入三种情况。本发明基于激光纳米加工技术，为芯片埋置提供了高效率与高精度的加工方法，解决了化学方法周期长程序繁琐的问题，实现芯片在基板或布线层埋置及互连的方法。
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公开(公告)号：CN118299470A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410599570.0
申请日：2024-05-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开提供一种用于异面正对光导开关组装装置以及组装方法，涉及半导体开关领域，包括，底座，底座上开设有安装槽；光导开关主体部，设置于底座上且位于安装槽内；至少一按压组件，设置于底座上且环绕于安装槽；按压组件包括按压部、锁定部和按压块；锁定部和按压块均设置于底座上，且按压块接触于光导开关主体部，按压部穿设于按压块并可拆卸连接于锁定部，实现光导开关主体部位于安装槽内；顶起组件，设置于底座和光导开关主体部之间，且顶起组件位于安装槽内腔；顶起组件作用于光导开关主体部，并使得光导开关主体部抵紧于按压块。本申请具有便于安装和拆卸的效果。
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公开(公告)号：CN114025517B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202111441061.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种LCP多层电路板平坦化层压方法及装置，层压方法包括以下步骤：S1、将压头与层压平台上下对应设置，层压平台上设置有多个真空吸附孔，层压平台上端面上铺设有第一多孔铝箔；S2、多层LCP基板的下端面放置于第一多孔铝箔上，在多层LCP基板的上端面上铺设有第二多孔铝箔，聚酰亚胺膜包覆于多层LCP基板、第一多孔铝箔及第二多孔铝箔所组成的整体结构外；S3、通过抽真空装置降低真空吸附孔内的气压，使多层LCP基板密封于一密闭空间内；S4、压头内设有加热装置，压头下压接触在第二多孔铝箔上的聚酰亚胺膜上，压头开始加压加热使多层LCP基板发生键合，完成层压。
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