公开(公告)号：CN112635315B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202011454720.7

申请日：2020-12-10

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  罗烨辉 ,  郑昌伟 ,  赵艳黎 ,  丁杰钦 ,  焦莎莎 ,  罗海辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种沟槽氧化层和沟槽栅的制备方法及半导体器件。该方法包括：以第二掩膜层作为掩蔽，注入氧离子到沟槽底部的外延层内，以在沟槽底部的外延层内形成氧离子注入区；去除覆盖于沟槽底部的第二掩膜层部分，并对外延层进行热氧化处理，以在沟槽底部形成第一氧化层；去除剩余的第二掩膜层部分；再次对外延层进行热氧化处理，以在沟槽侧壁上形成第二氧化层；其中，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度。通过在沟槽侧壁和沟槽底部形成第二掩膜层，避免氧离子注入到沟槽侧壁，抑制沟槽侧壁的栅氧生长速率，形成底部致密的厚栅氧化层(第一氧化层)，强化了沟槽底部抗击穿能力，且降低了器件的栅‑漏电容，开关特性得到改善。

公开(公告)号：CN114200275B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202010898622.6

申请日：2020-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 石帮兵 ,  李诚瞻 ,  丁杰钦 ,  赵艳黎 ,  陈喜明 ,  戴小平

IPC: G01R31/26

Abstract: 本说明书实施例提供一种碳化硅MOSFET器件高温栅偏试验方法及系统，包括：利用阈值电压测试装置测试至少一组待测器件的初始阈值电压值；利用高温栅偏测试装置对待测器件进行三种驱动电压条件下的高温栅偏测试；三种驱动电压分别为+20V/0V，+20V/‑5V和+20V/‑10V；在高温栅偏测试过程中，于不同的时间点利用阈值电压测试装置测试待测器件的当前阈值电压值，得到不同时间点对应的阈值电压值；高温栅偏测试结束，根据初始阈值电压值和不同时间点对应的阈值电压值，对阈值电压退化特性进行分析。本说明书充分考虑器件的实际工况，能够对碳化硅MOSFET器件进行全面的可靠性试验。

公开(公告)号：CN114566429A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202011362084.5

申请日：2020-11-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  郑昌伟 ,  丁杰钦 ,  卢吴越 ,  黄爱权 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/266 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件。该改善晶圆翘曲的方法包括：提供一翘曲的晶圆；其中，所述晶圆由于在其正面进行的离子注入或刻蚀工艺发生边缘向下的翘曲，且所述晶圆各位置处的翘曲度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大；对所述晶圆的背面进行离子注入，以在所述晶圆的背面形成若干以所述晶圆的中心为中心且间隔设置的环形离子注入区，从而使背面离子注入与正面离子注入或刻蚀工艺产生的应力相互抵消；其中，各个所述环形离子注入区的径向宽度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大。该方法能精准消除由正面工艺带来的晶圆翘曲，避免对后续工艺造成较大影响。

公开(公告)号：CN114200275A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010898622.6

申请日：2020-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 石帮兵 ,  李诚瞻 ,  丁杰钦 ,  赵艳黎 ,  陈喜明 ,  戴小平

IPC: G01R31/26

Abstract: 本说明书实施例提供一种碳化硅MOSFET器件高温栅偏试验方法及系统，包括：利用阈值电压测试装置测试至少一组待测器件的初始阈值电压值；利用高温栅偏测试装置对待测器件进行三种驱动电压条件下的高温栅偏测试；三种驱动电压分别为+20V/0V，+20V/‑5V和+20V/‑10V；在高温栅偏测试过程中，于不同的时间点利用阈值电压测试装置测试待测器件的当前阈值电压值，得到不同时间点对应的阈值电压值；高温栅偏测试结束，根据初始阈值电压值和不同时间点对应的阈值电压值，对阈值电压退化特性进行分析。本说明书充分考虑器件的实际工况，能够对碳化硅MOSFET器件进行全面的可靠性试验。

公开(公告)号：CN113035951A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911355637.1

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 丁杰钦 ,  周正东 ,  施剑华 ,  焦莎莎 ,  罗烨辉 ,  刘启军 ,  周才能 ,  马亚超 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法和应用。该MOSFET结构包括具有沟槽的碳化硅晶圆，以及沉积于所述沟槽的侧壁和底部的栅极氧化层，且沟槽底部的栅极氧化层厚度大于沟槽侧壁的栅极氧化层厚度。本发明的MOSFET结构能够避免底部栅极氧化层厚度偏薄导致器件提前击穿的问题，提高了半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112083305A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010739182.X

申请日：2020-07-28

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 石帮兵 ,  丁杰钦 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  罗烨辉 ,  罗海辉

IPC: G01R31/26

Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。