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公开(公告)号：CN102386147A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110254765.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/76885 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05019 , H01L2224/05022 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05118 , H01L2224/05147 , H01L2224/05149 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13083 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/01028 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、再布线和表面层。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。再布线在所述半导体基板上形成。表面层比所述再布线更宽。
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公开(公告)号：CN100477158C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610073921.6
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31616 , C23C16/045 , C23C16/45536 , C23C16/482 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
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公开(公告)号：CN102386160B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201110256133.1
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13076 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/818 , H01L2224/81801 , H01L2224/8185 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/01022 , H01L2924/04941 , H01L2924/01027 , H01L2924/01046 , H01L2924/01025 , H01L2924/0541 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
Abstract: 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、金属膜、表面改性层和再布线。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。金属膜在所述半导体基板上形成。表面改性层在所述金属膜的表层形成，提高与光刻胶图形的贴紧性。再布线隔着所述表面改性层在所述金属膜上形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350340B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200810125628.9
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/31616 , C23C16/045 , C23C16/45536 , C23C16/482 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
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公开(公告)号：CN102386164A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110254704.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L21/0206 , H01L21/0274 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11902 , H01L2224/13005 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/11 , H01L2924/2076 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置焊盘电极、保护膜、基底阻挡金属膜和电极布线部。焊盘电极在半导体基板形成。保护膜以使所述焊盘电极的表面露出的方式在所述半导体基板上形成。基底阻挡金属膜在所述焊盘电极及所述保护膜上形成。电极布线部隔着所述基底阻挡金属膜在所述焊盘电极上形成。另外，所述基底阻挡金属膜的表面反射率在波长800nm中为30％以上，所述电极布线部的直径为140μm以下。
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公开(公告)号：CN101350340A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810125628.9
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/31616 , C23C16/045 , C23C16/45536 , C23C16/482 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
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公开(公告)号：CN100364045C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510078832.6
申请日：2005-05-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/76862 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。
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公开(公告)号：CN1848407A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610073921.6
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31616 , C23C16/045 , C23C16/45536 , C23C16/482 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
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