公开(公告)号：CN100364045C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510078832.6

申请日：2005-05-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  金子尚史 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  依田孝 ,  关根诚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。

公开(公告)号：CN1490875A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03160085.9

申请日：2003-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关根诚

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/32 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166

Abstract: 一种半导体器件，具备：已集成形成了半导体元件的半导体基板、在该半导体基板表面上形成的布线层，在贯通上述半导体基板的贯通孔内形成的具有导电性的连接插头，上述连接插头，具有与上述半导体基板的表面平行的截面的面积比该连接插头的上表面和下表面的面积还小的部分。

公开(公告)号：CN100339175C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410074104.3

申请日：2004-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  关根诚

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31105 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/364 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明涉及激光加工装置和方法、加工掩模、半导体装置及制造方法。该激光加工装置包括：被构造成沿从加工对象物的第一端到所述加工对象物的另一端的扫描方向移动所述加工对象物的扫描系统；被构造成沿所述扫描方向在垂直于所述激光光束光轴的平面上将激光光束变换成非对称加工激光光束的光束成形单元，所述非对称加工激光光束具有沿所述扫描方向彼此不相对称的前方部和后方部；以及被构造成把从光束成形单元发射的加工激光光束照射到加工对象物上的照射光学系统。

公开(公告)号：CN1702827A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510078832.6

申请日：2005-05-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  金子尚史 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  依田孝 ,  关根诚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。

公开(公告)号：CN1590007A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074104.3

申请日：2004-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  关根诚

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31105 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/364 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明涉及激光加工装置和方法、加工掩模、半导体装置及制造方法。该激光加工装置包括：被构造成沿从加工对象物的第一端到所述加工对象物的另一端的扫描方向移动所述加工对象物的扫描系统；被构造成沿所述扫描方向在垂直于所述激光光束光轴的平面上将激光光束变换成非对称加工激光光束的光束成形单元；以及被构造成把从光束成形单元发射的加工激光光束照射到加工对象物上的照射光学系统。