公开(公告)号：CN102870212A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180022085.8

申请日：2011-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·V·霍拉克 ,  野上毅 ,  S·波诺斯 ,  C-C·杨

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有自对准介电帽的互连结构。在衬底上形成至少一个金属化层级。在所述金属化层级上选择性沉积介电帽。

公开(公告)号：CN102456617A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110329923.8

申请日：2011-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·W·考伯格三世 ,  D·V·霍拉克 ,  S·波诺斯 ,  杨智超 ,  范淑贞 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构。所述方法包括：在一个或更多个半导体器件上沉积导电材料覆盖层；生成覆盖导电材料覆盖层的一部分的局部互连的图案；去除导电材料覆盖层的未被局部互连的图案覆盖的剩余部分；通过导电材料覆盖层的该部分形成局部互连以连接一个或更多个半导体器件。

公开(公告)号：CN1971876A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610163558.7

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·拉思 ,  杨智超 ,  S·波诺斯 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 通过以下步骤制造导体－电介质互连结构：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在过孔中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过转向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上镀敷导电金属。并且提供其中具有过孔的介电层；在已构图部件中所述介电层上镀敷籽晶层；以及位于所述已构图部件中的不连续牺牲籽晶层。

公开(公告)号：CN103915501B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410009330.7

申请日：2014-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·S·哈伦 ,  S·波诺斯 ,  T·E·斯坦达耶尔特 ,  T·亚马施塔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 公开了一种改进的finFET和使用悬空硅工艺流程的制造方法。在为了进行悬空硅（SON）工艺在鳍下面形成空腔期间，氮化物间隔物保护鳍的侧面。可流动氧化物填充这些空腔，以在鳍下形成绝缘电介质层。

公开(公告)号：CN103915501A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410009330.7

申请日：2014-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·S·哈伦 ,  S·波诺斯 ,  T·E·斯坦达耶尔特 ,  T·亚马施塔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 公开了一种改进的finFET和使用悬空硅工艺流程的制造方法。在为了进行悬空硅（SON）工艺在鳍下面形成空腔期间，氮化物间隔物保护鳍的侧面。可流动氧化物填充这些空腔，以在鳍下形成绝缘电介质层。

公开(公告)号：CN103137493A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210482758.4

申请日：2012-11-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·E·斯坦达尔特 ,  程慷果 ,  B·S·哈朗 ,  S·波诺斯 ,  徐顺天 ,  山下典洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明的各种实施例总体上涉及具有改进的栅极平坦性的FinFET，具体而言，公开了一种具有改进的栅极平坦性的FinFET和制作方法。栅极在去除任何非所需鳍之前设置于鳍图案上。光刻技术或者蚀刻技术或者二者的组合可以用来去除非所需鳍。可以合并剩余鳍中的所有鳍或者一些鳍。

公开(公告)号：CN100481384C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610163558.7

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·拉思 ,  杨智超 ,  S·波诺斯 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 通过以下步骤制造导体-电介质互连结构：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在过孔中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过反向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上镀敷导电金属。并且提供其中具有过孔的介电层；在已构图部件中所述介电层上镀敷籽晶层；以及位于所述已构图部件中的不连续牺牲籽晶层。

公开(公告)号：CN101013678A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610146573.0

申请日：2006-11-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S-T·T·陈 ,  S·波诺斯 ,  J·A·菲兹赛蒙斯 ,  T·A·斯普纳

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体结构的方法和半导体器件。所提出的方法包括以下步骤：在衬底上沉积介电膜层、硬掩模层和构图的光致抗蚀剂层。该方法还包括通过反应离子处理选择性地蚀刻所述介电膜层以形成亚光刻部件，以及沉积阻挡金属层和铜层。该方法还包括通过气体簇离子束(GCIB)处理蚀刻所述阻挡金属层和硬掩模层。

公开(公告)号：CN105518849A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480047361.X

申请日：2014-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿杜苏米利 ,  E·阿尔普特金 ,  程慷果 ,  S·波诺斯 ,  B·普拉纳萨蒂哈兰

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628

Abstract: 一种形成晶体管的硅化物接触的方法包括形成晶体管的第一集合的外延源极/漏极区域的第一集合；在外延源极/漏极区域的第一集合的顶部上形成牺牲外延层；形成晶体管的第二集合的外延源极/漏极区域的第二集合；在硅化工艺中将外延源极/漏极区域的第二集合的顶部部分转换为金属硅化物并且将牺牲外延层转换为牺牲硅化物层，其中在牺牲外延层下方的外延源极/漏极区域的第一集合并未受硅化工艺影响；选择性地移除牺牲硅化物层；以及将外延源极/漏极区域的第一集合的顶部部分转换为另一金属硅化物。

公开(公告)号：CN103208453B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201310009648.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·S·哈兰 ,  D·V·霍拉克 ,  C·W·科伯格尔三世 ,  S·波诺斯

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明的一些实施例涉及用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法。在形成凸起源极和漏极区域之后，在通过去除绝缘体上半导体(SOI)衬底中的浅沟槽隔离结构和掩埋绝缘体层的下层部分而形成的凹陷区域内沉积保形电介质材料衬垫。随后沉积和平坦化与保形电介质材料衬垫的材料不同的电介质材料以形成平坦化的电介质材料层。相对于保形电介质材料衬垫选择性凹陷平坦化的电介质材料层以形成填充凹陷区域的电介质填充部分。通过各向异性蚀刻来去除保形电介质材料衬垫的水平部分，而保形电介质材料衬垫的剩余部分形成外栅极间隔物。沉积至少一个接触级电介质层。可以在接触通孔内形成与操纵衬底电隔离的接触过孔结构。