公开(公告)号：CN102456617A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110329923.8

申请日：2011-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·W·考伯格三世 ,  D·V·霍拉克 ,  S·波诺斯 ,  杨智超 ,  范淑贞 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构。所述方法包括：在一个或更多个半导体器件上沉积导电材料覆盖层；生成覆盖导电材料覆盖层的一部分的局部互连的图案；去除导电材料覆盖层的未被局部互连的图案覆盖的剩余部分；通过导电材料覆盖层的该部分形成局部互连以连接一个或更多个半导体器件。