公开(公告)号：CN103137493A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210482758.4

申请日：2012-11-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·E·斯坦达尔特 ,  程慷果 ,  B·S·哈朗 ,  S·波诺斯 ,  徐顺天 ,  山下典洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明的各种实施例总体上涉及具有改进的栅极平坦性的FinFET，具体而言，公开了一种具有改进的栅极平坦性的FinFET和制作方法。栅极在去除任何非所需鳍之前设置于鳍图案上。光刻技术或者蚀刻技术或者二者的组合可以用来去除非所需鳍。可以合并剩余鳍中的所有鳍或者一些鳍。

公开(公告)号：CN103137493B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210482758.4

申请日：2012-11-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·E·斯坦达尔特 ,  程慷果 ,  B·S·哈朗 ,  S·波诺斯 ,  徐顺天 ,  山下典洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明的各种实施例总体上涉及具有改进的栅极平坦性的FinFET，具体而言，公开了一种具有改进的栅极平坦性的FinFET和制作方法。栅极在去除任何非所需鳍之前设置于鳍图案上。光刻技术或者蚀刻技术或者二者的组合可以用来去除非所需鳍。可以合并剩余鳍中的所有鳍或者一些鳍。