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公开(公告)号：CN104576370B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410551194.4
申请日：2014-10-17
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德半导体股份有限公司
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L21/823828 , H01L21/823437 , H01L21/823468 , H01L21/823864
Abstract: 提供了形成晶体管的方法。该方法包括形成多个晶体管结构以便在衬底上具有多个伪栅极。每个伪栅极由小于伪栅极并且对于不同晶体管结构不同的高度的侧壁间隔件围绕，结果得到侧壁间隔件之上的不同深度的凹坑。该方法然后在伪栅极之上以及在多个晶体管结构的凹坑内沉积保形的电介质层，其中该保形的电介质层的厚度为凹坑的宽度的至少一半，仅仅去除保形的电介质层的在伪栅极之上的部分来暴露伪栅极；以及用多个高k金属栅替换伪栅极。
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公开(公告)号：CN104051272B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410095311.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及应力增强的finFET器件。具有增强的应变的非平面半导体包括衬底以及形成在所述衬底的表面上的至少一个半导电鳍。栅极叠层形成在所述至少一个半导电鳍的一部分上。应力衬里形成在所述栅极叠层和所述至少一个半导电鳍的多个侧壁中的至少每一个侧壁之上。所述应力衬里至少向所述至少一个半导电鳍的沟道区、源极区和漏极区赋予应力。所述沟道区位于所述栅极叠层下方的至少一个半导电鳍中。
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公开(公告)号：CN103456642B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201310217162.6
申请日：2013-06-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及制造场效应晶体管的方法和设备。描述了一种用于制造双外延鳍片FET的方法。该方法包括向鳍片阵列添加第一外延材料。该方法也包括使用第一掩蔽材料覆盖鳍片阵列的至少第一部分以及从鳍片阵列的未被覆盖的部分除去第一外延材料。该方法中包括向鳍片阵列的未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料。该方法也包括使用第二掩蔽材料覆盖鳍片阵列的第二部分，以及使用第一掩蔽材料和第二掩蔽材料进行定向蚀刻。也描述了设备和计算机程序产品。
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公开(公告)号：CN101278396A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036654.3
申请日：2006-10-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括具有增强导电材料，优选地Cu扩散性质的电镀种子层的互连结构，其消除使用单独的扩散层和种子层的需求。具体地，本发明在电镀种子层内提供氧/氮过渡区用于互连金属扩散增强。电镀种子层可以包括Ru、Ir或它们的合金，并且互连导电材料可以包括Cu、Al、AlCu、W、Ag、Au等。优选地，互连导电材料是Cu或AlCu。更具体地说，本发明提供一种包括夹在顶部与底部种子区之间的氧/氮过渡区的单个种子层。电镀种子层内的氧/氮过渡区的存在急剧地增强电镀种子的扩散势垒电阻。
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公开(公告)号：CN103137493B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210482758.4
申请日：2012-11-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/6681 , H01L29/785
Abstract: 本发明的各种实施例总体上涉及具有改进的栅极平坦性的FinFET，具体而言，公开了一种具有改进的栅极平坦性的FinFET和制作方法。栅极在去除任何非所需鳍之前设置于鳍图案上。光刻技术或者蚀刻技术或者二者的组合可以用来去除非所需鳍。可以合并剩余鳍中的所有鳍或者一些鳍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103456642A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310217162.6
申请日：2013-06-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/6681
Abstract: 本发明涉及制造场效应晶体管的方法和设备。描述了一种用于制造双外延鳍片FET的方法。该方法包括向鳍片阵列添加第一外延材料。该方法也包括使用第一掩蔽材料覆盖鳍片阵列的至少第一部分以及从鳍片阵列的未被覆盖的部分除去第一外延材料。该方法中包括向鳍片阵列的未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料。该方法也包括使用第二掩蔽材料覆盖鳍片阵列的第二部分，以及使用第一掩蔽材料和第二掩蔽材料进行定向蚀刻。也描述了设备和计算机程序产品。
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公开(公告)号：CN103208453A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310009648.0
申请日：2013-01-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： B·S·哈兰 , D·V·霍拉克 , C·W·科伯格尔三世 , S·波诺斯
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L21/76283 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的一些实施例涉及用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法。在形成凸起源极和漏极区域之后，在通过去除绝缘体上半导体(SOI)衬底中的浅沟槽隔离结构和掩埋绝缘体层的下层部分而形成的凹陷区域内沉积保形电介质材料衬垫。随后沉积和平坦化与保形电介质材料衬垫的材料不同的电介质材料以形成平坦化的电介质材料层。相对于保形电介质材料衬垫选择性凹陷平坦化的电介质材料层以形成填充凹陷区域的电介质填充部分。通过各向异性蚀刻来去除保形电介质材料衬垫的水平部分，而保形电介质材料衬垫的剩余部分形成外栅极间隔物。沉积至少一个接触级电介质层。可以在接触通孔内形成与操纵衬底电隔离的接触过孔结构。
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公开(公告)号：CN105518849B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201480047361.X
申请日：2014-08-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 一种形成晶体管的硅化物接触的方法包括形成晶体管的第一集合的外延源极/漏极区域的第一集合；在外延源极/漏极区域的第一集合的顶部上形成牺牲外延层；形成晶体管的第二集合的外延源极/漏极区域的第二集合；在硅化工艺中将外延源极/漏极区域的第二集合的顶部部分转换为金属硅化物并且将牺牲外延层转换为牺牲硅化物层，其中在牺牲外延层下方的外延源极/漏极区域的第一集合并未受硅化工艺影响；选择性地移除牺牲硅化物层；以及将外延源极/漏极区域的第一集合的顶部部分转换为另一金属硅化物。
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公开(公告)号：CN102870212B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180022085.8
申请日：2011-03-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76805 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有自对准介电帽的互连结构。在衬底上形成至少一个金属化层级。在所述金属化层级上选择性沉积介电帽。
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公开(公告)号：CN103715064A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310376748.7
申请日：2013-08-21
CPC classification number: H01L21/76283 , H01L21/31111 , H01L21/76232 , H01L21/84
Abstract: 经过在衬底上的掩埋氧化物上面的有源硅层向衬底中并且经过有源硅层上的任何焊盘电介质蚀刻隔离沟槽。有源硅层的横向外延向隔离沟槽中形成突出物至至少约5纳米的横向距离，并且用电介质填充隔离沟槽的在突出物周围的部分。在有源硅层的包括电介质的部分上形成凸起源极／漏极区域。作为结果，在凸起源极／漏极区域的周围穿过的未对准接触在隔离沟槽中保持从衬底的侧壁间隔开。
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