公开(公告)号：CN1607268A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410077873.9

申请日：2004-09-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·I·库珀 ,  B·K·弗曼 ,  D·L·拉思

IPC: C23F1/34

CPC classification number: C23G1/103 ,  C23C22/63 ,  C23F1/34 ,  H01L21/32134

Abstract: 通过使用含水组合物对铜和铜合金进行蚀刻以得到均匀而又光滑的表面，所述组合物包含氧化剂、铜及铜合金的至少一种弱络合剂和至少一种强络合剂的混合物以及水，其pH值是约6到约12以形成氧化的蚀刻控制层从而均匀地去除铜或铜合金；然后用非氧化性组合物去除氧化的蚀刻控制层。也提供了具有光滑上表面的铜和铜合金结构。

公开(公告)号：CN100529186C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200410077873.9

申请日：2004-09-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·I·库珀 ,  B·K·弗曼 ,  D·L·拉思

IPC: C23F1/34

CPC classification number: C23G1/103 ,  C23C22/63 ,  C23F1/34 ,  H01L21/32134

Abstract: 通过使用含水组合物对铜和铜合金进行蚀刻以得到均匀而又光滑的表面，所述组合物包含氧化剂、铜及铜合金的至少一种弱络合剂和至少一种强络合剂的混合物以及水，其pH值是约6到约12以形成氧化的蚀刻控制层从而均匀地去除铜或铜合金；然后用非氧化性组合物去除氧化的蚀刻控制层。也提供了具有光滑上表面的铜和铜合金结构。

公开(公告)号：CN1971876A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610163558.7

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·拉思 ,  杨智超 ,  S·波诺斯 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 通过以下步骤制造导体－电介质互连结构：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在过孔中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过转向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上镀敷导电金属。并且提供其中具有过孔的介电层；在已构图部件中所述介电层上镀敷籽晶层；以及位于所述已构图部件中的不连续牺牲籽晶层。

公开(公告)号：CN1783453A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510116935.7

申请日：2005-10-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·D·瓜迪亚 ,  R·库恩 ,  李文杰 ,  林庆煌 ,  D·法伊弗 ,  D·L·拉思

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76808 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31144

Abstract: 在利用低k层间介质的集成电路的后段，用包括环状烯烃聚合物的平坦化材料和溶剂填充蚀刻的结构；在所述平坦化层上的光敏层中限定将要蚀刻的下一个图形；在所述介质中蚀刻所述图形，并且在不损伤所述层间介质的湿法工艺中剥离所述平坦化材料。

公开(公告)号：CN100481384C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610163558.7

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·拉思 ,  杨智超 ,  S·波诺斯 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 通过以下步骤制造导体-电介质互连结构：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在过孔中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过反向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上镀敷导电金属。并且提供其中具有过孔的介电层；在已构图部件中所述介电层上镀敷籽晶层；以及位于所述已构图部件中的不连续牺牲籽晶层。

公开(公告)号：CN1180459C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN98126518.9

申请日：1998-11-20

Applicant: 国际商业机器公司 ,  西门子公司

Inventor： D·L·拉思 ,  R·拉马恰德兰

IPC: H01L21/308 ,  C09K13/08 ,  C23F1/00

CPC classification number: C09D9/00 ,  C09K13/08 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种水溶液蚀刻剂组合物，含有约0.01-15wt%的硫酸和约0.01-20wt%的过氧化氢或约1-30ppm臭氧，以及约0.01-100ppm的氢氟酸，该组合物可以有效地从基底或导电材料上去除聚合物和通路残留物，特别是从其上具有铝接线的集成电路芯片上去除所述的残留物。

公开(公告)号：CN1227279A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN98126518.9

申请日：1998-11-20

Applicant: 国际商业机器公司 ,  西门子公司

Inventor： D·L·拉思 ,  R·拉马恰德兰

IPC: C23F1/20

CPC classification number: C09D9/00 ,  C09K13/08 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种水溶液蚀刻剂组合物，含有约0.01—15wt%的硫酸和约0.01—20wt%的过氧化氢或约1—30ppm臭氧，以及约0.01—100ppm的氢氟酸，该组合物可以有效地从基底或导电材料上去除聚合物和通路残留物，特别是从其上具有铝接线的集成电路芯片上去除所述的残留物。