公开(公告)号：CN103208453A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310009648.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·S·哈兰 ,  D·V·霍拉克 ,  C·W·科伯格尔三世 ,  S·波诺斯

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明的一些实施例涉及用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法。在形成凸起源极和漏极区域之后，在通过去除绝缘体上半导体(SOI)衬底中的浅沟槽隔离结构和掩埋绝缘体层的下层部分而形成的凹陷区域内沉积保形电介质材料衬垫。随后沉积和平坦化与保形电介质材料衬垫的材料不同的电介质材料以形成平坦化的电介质材料层。相对于保形电介质材料衬垫选择性凹陷平坦化的电介质材料层以形成填充凹陷区域的电介质填充部分。通过各向异性蚀刻来去除保形电介质材料衬垫的水平部分，而保形电介质材料衬垫的剩余部分形成外栅极间隔物。沉积至少一个接触级电介质层。可以在接触通孔内形成与操纵衬底电隔离的接触过孔结构。

公开(公告)号：CN103208453B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201310009648.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·S·哈兰 ,  D·V·霍拉克 ,  C·W·科伯格尔三世 ,  S·波诺斯

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明的一些实施例涉及用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法。在形成凸起源极和漏极区域之后，在通过去除绝缘体上半导体(SOI)衬底中的浅沟槽隔离结构和掩埋绝缘体层的下层部分而形成的凹陷区域内沉积保形电介质材料衬垫。随后沉积和平坦化与保形电介质材料衬垫的材料不同的电介质材料以形成平坦化的电介质材料层。相对于保形电介质材料衬垫选择性凹陷平坦化的电介质材料层以形成填充凹陷区域的电介质填充部分。通过各向异性蚀刻来去除保形电介质材料衬垫的水平部分，而保形电介质材料衬垫的剩余部分形成外栅极间隔物。沉积至少一个接触级电介质层。可以在接触通孔内形成与操纵衬底电隔离的接触过孔结构。