公开(公告)号：CN101257000A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810074179.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 丹尼尔·C·埃德尔斯坦 ,  野上毅 ,  王平川 ,  王允愈 ,  杨智超

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种结构及相关方法，该结构包括在铜布线和介电层的无衬界面处的难熔金属环。在一实施例中，一结构包括：铜布线，与其上的介电层具有无衬界面；通孔，从该铜布线向上延伸穿过该介电层；以及难熔金属环，从该通孔的侧面部分沿该无衬界面延伸。难熔金属环通过改善通孔周围的界面来防止电迁移造成的狭缝空缺，并防止空缺成核出现在通孔附近。另外，在通孔和介电层无衬界面附近存在空缺时，难熔金属环提供电冗余。

公开(公告)号：CN116457933A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077082.8

申请日：2021-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈敬慈 ,  N·A·兰兹洛 ,  V·纳拉亚南 ,  野上毅

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供一种互连的制造方法。该方法包括形成拓扑半金属层。该方法还包括图案化拓扑半金属层以形成一个或多个互连。该方法还包括在一个或多个互连之间形成电介质层。该方法还包括在一个或多个互连和电介质层的顶部上形成密封电介质盖层。

公开(公告)号：CN101257000B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810074179.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 丹尼尔·C·埃德尔斯坦 ,  野上毅 ,  王平川 ,  王允愈 ,  杨智超

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种结构及相关方法，该结构包括在铜布线和介电层的无衬界面处的难熔金属环。在一实施例中，一结构包括：铜布线，与其上的介电层具有无衬界面；通孔，从该铜布线向上延伸穿过该介电层；以及难熔金属环，从该通孔的侧面部分沿该无衬界面延伸。难熔金属环通过改善通孔周围的界面来防止电迁移造成的狭缝空缺，并防止空缺成核出现在通孔附近。另外，在通孔和介电层无衬界面附近存在空缺时，难熔金属环提供电冗余。

公开(公告)号：CN102870212B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201180022085.8

申请日：2011-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·V·霍拉克 ,  野上毅 ,  S·波诺斯 ,  C-C·杨

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有自对准介电帽的互连结构。在衬底上形成至少一个金属化层级。在所述金属化层级上选择性沉积介电帽。

公开(公告)号：CN102870212A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180022085.8

申请日：2011-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·V·霍拉克 ,  野上毅 ,  S·波诺斯 ,  C-C·杨

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有自对准介电帽的互连结构。在衬底上形成至少一个金属化层级。在所述金属化层级上选择性沉积介电帽。

公开(公告)号：CN102498560A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040789.3

申请日：2010-08-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗斯纳格尔 ,  C-C·杨 ,  D·埃德尔斯坦 ,  野上毅

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76871 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76883

Abstract: 提供了一种具有降低的电阻的互连结构和一种形成这样的互连结构的方法。所述互连结构包括介电材料(24)，所述介电材料(24)包括在其中的至少一个开口。所述至少一个开口被填充有可选的阻挡扩散层(30)、晶粒生长促进层(32)、凝聚的镀敷籽晶层(34’)、可选的第二镀敷籽晶层和导电结构(38)。包括包含金属的导电材料(典型地为Cu)的所述导电结构具有竹节微结构和大于0.05微米的平均晶粒尺寸。在一些实施例中，所述导电结构包括具有(111)晶向的导电晶粒。

公开(公告)号：CN101908501A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010196073.4

申请日：2010-06-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 帕特里克·W·德黑文 ,  丹尼尔·C·埃德尔斯坦 ,  菲利普·L·弗莱茨 ,  野上毅 ,  斯蒂芬·M·罗斯纳格尔 ,  杨智超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明公开了一种扩散阻挡及其形成方法。该在半导体装置的制造中使用的形成扩散阻挡的方法，包括在构图的层间电介质(ILD)层上方，通过物理气相沉积(PVD)工艺，沉积掺杂以铱的钽基阻挡层，其中所述阻挡层以至少60％原子重量的铱浓度沉积使得所述阻挡层具有所得的非晶结构。

公开(公告)号：CN101488488A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910001875.2

申请日：2009-01-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 野上毅 ,  托马斯·M·肖 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  琼·E·温 ,  杨智超

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法。该方法在多层集成电路结构的低K绝缘层中图案化至少一个开口，从而铜导体在该开口的底部暴露。然后该方法在第一腔中用第一氮化钽层装衬该开口的侧壁和底部并在第一腔中在第一氮化钽层上形成钽层。接着，在第一腔中对该开口进行溅射蚀刻，从而在开口的底部暴露导体。仍在第一腔中，第二氮化钽层形成在导体、钽层和第一氮化钽层上。在第二氮化钽层形成之后，这里该方法在不同的第二腔中在第二氮化钽层上形成包括铂族金属的闪光层。在此工艺之后，该结构可以移到第三腔，在第三腔中铜沉积在开口中的闪光层上直到该开口用铜涂覆。