公开(公告)号：CN102246293A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150131.5

申请日：2009-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·巴斯克 ,  W·R·托蒂 ,  K·K·H·王 ,  C-C·杨

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有改进的抗电迁移性的互连结构，这些互连结构包括在过孔开口的底部处存在的金属界面层(或者金属合金层)(66)。过孔开口位于在第一电介质材料(52)上面的第二电介质材料(52’)内，该第一电介质材料包括嵌入于其中的第一导电材料(56)。在过孔开口的底部处存在的金属界面层(或者金属合金层)位于嵌入于第一电介质内的下层第一导电材料与嵌入于第二电介质材料内的第二导电材料之间。还提供制造抗电迁移性改进的互连结构的方法。

公开(公告)号：CN102341903B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080010491.8

申请日：2010-04-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·肖 ,  C-C·杨

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于互连结构的冗余金属扩散阻挡层，其改善了互连结构的可靠性和可扩展性。所述冗余金属扩散阻挡层位于开口内，所述开口位于介电材料内，并且所述冗余金属扩散阻挡层位于扩散阻挡层与导电材料之间，所述扩散阻挡层和所述导电材料也存在于所述开口内。所述冗余扩散阻挡层包括单层或多层结构，其包括Ru和含Co材料，所述含Co材料包括纯Co或Co合金，所述Co合金包含N、P和B中的至少一者。

公开(公告)号：CN102844816A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201080041800.8

申请日：2010-08-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·L·徐 ,  X·欧阳 ,  C-C·杨

IPC: G11C11/24 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T307/865 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种模块化的电容器阵列包括多个电容器模块。每个电容器模块包括电容器和开关器件，该开关器件配置成电断开电容器。开关器件包括配置成检测该电容器的漏电水平的感测单元，从而使得如果泄漏电流超过预定水平，则开关器件电断开电容器。每个电容器模块可以包括单个电容器平板、两个电容器平板或多于两个的电容器平板。使用漏电传感器及开关器件以电断开电容器阵列的任何漏电的电容器模块，从而保护电容器阵列免受过度漏电之害。

公开(公告)号：CN102341903A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010491.8

申请日：2010-04-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·肖 ,  C-C·杨

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种用于互连结构的冗余金属扩散阻挡层，其改善了互连结构的可靠性和可扩展性。所述冗余金属扩散阻挡层位于开口内，所述开口位于介电材料内，并且所述冗余金属扩散阻挡层位于扩散阻挡层与导电材料之间，所述扩散阻挡层和所述导电材料也存在于所述开口内。所述冗余扩散阻挡层包括单层或多层结构，其包括Ru和含Co材料，所述含Co材料包括纯Co或Co合金，所述Co合金包含N、P和B中的至少一者。

公开(公告)号：CN102844816B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080041800.8

申请日：2010-08-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·L·徐 ,  X·欧阳 ,  C-C·杨

IPC: G11C11/24 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T307/865 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种模块化的电容器阵列包括多个电容器模块。每个电容器模块包括电容器和开关器件，该开关器件配置成电断开电容器。开关器件包括配置成检测该电容器的漏电水平的感测单元，从而使得如果泄漏电流超过预定水平，则开关器件电断开电容器。每个电容器模块可以包括单个电容器平板、两个电容器平板或多于两个的电容器平板。使用漏电传感器及开关器件以电断开电容器阵列的任何漏电的电容器模块，从而保护电容器阵列免受过度漏电之害。

公开(公告)号：CN102870212B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201180022085.8

申请日：2011-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·V·霍拉克 ,  野上毅 ,  S·波诺斯 ,  C-C·杨

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有自对准介电帽的互连结构。在衬底上形成至少一个金属化层级。在所述金属化层级上选择性沉积介电帽。

公开(公告)号：CN102870212A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180022085.8

申请日：2011-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·V·霍拉克 ,  野上毅 ,  S·波诺斯 ,  C-C·杨

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有自对准介电帽的互连结构。在衬底上形成至少一个金属化层级。在所述金属化层级上选择性沉积介电帽。

公开(公告)号：CN102498560A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040789.3

申请日：2010-08-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗斯纳格尔 ,  C-C·杨 ,  D·埃德尔斯坦 ,  野上毅

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76871 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76883

Abstract: 提供了一种具有降低的电阻的互连结构和一种形成这样的互连结构的方法。所述互连结构包括介电材料(24)，所述介电材料(24)包括在其中的至少一个开口。所述至少一个开口被填充有可选的阻挡扩散层(30)、晶粒生长促进层(32)、凝聚的镀敷籽晶层(34’)、可选的第二镀敷籽晶层和导电结构(38)。包括包含金属的导电材料(典型地为Cu)的所述导电结构具有竹节微结构和大于0.05微米的平均晶粒尺寸。在一些实施例中，所述导电结构包括具有(111)晶向的导电晶粒。