公开(公告)号：CN103915501B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410009330.7

申请日：2014-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·S·哈伦 ,  S·波诺斯 ,  T·E·斯坦达耶尔特 ,  T·亚马施塔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 公开了一种改进的finFET和使用悬空硅工艺流程的制造方法。在为了进行悬空硅（SON）工艺在鳍下面形成空腔期间，氮化物间隔物保护鳍的侧面。可流动氧化物填充这些空腔，以在鳍下形成绝缘电介质层。

公开(公告)号：CN103915501A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410009330.7

申请日：2014-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·S·哈伦 ,  S·波诺斯 ,  T·E·斯坦达耶尔特 ,  T·亚马施塔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 公开了一种改进的finFET和使用悬空硅工艺流程的制造方法。在为了进行悬空硅（SON）工艺在鳍下面形成空腔期间，氮化物间隔物保护鳍的侧面。可流动氧化物填充这些空腔，以在鳍下形成绝缘电介质层。

公开(公告)号：CN105849874A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070807.0

申请日：2014-10-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  刘作光 ,  T·亚马施塔 ,  葉俊呈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

Abstract: 实施例针对：形成包括至少一个鳍片、栅极以及间隔件的结构，对所述结构应用退火工艺以生成在所述至少一个鳍片与所述间隔件之间的间隙，以及在所述间隔件与所述至少一个鳍片之间的间隙中生长外延半导体层。

公开(公告)号：CN105849874B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201480070807.0

申请日：2014-10-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  刘作光 ,  T·亚马施塔 ,  葉俊呈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

Abstract: 实施例针对：形成包括至少一个鳍片、栅极以及间隔件的结构，对所述结构应用退火工艺以生成在所述至少一个鳍片与所述间隔件之间的间隙，以及在所述间隔件与所述至少一个鳍片之间的间隙中生长外延半导体层。