公开(公告)号：CN105518849B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201480047361.X

申请日：2014-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿杜苏米利 ,  E·阿尔普特金 ,  程慷果 ,  S·波诺斯 ,  B·普拉纳萨蒂哈兰

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种形成晶体管的硅化物接触的方法包括形成晶体管的第一集合的外延源极/漏极区域的第一集合；在外延源极/漏极区域的第一集合的顶部上形成牺牲外延层；形成晶体管的第二集合的外延源极/漏极区域的第二集合；在硅化工艺中将外延源极/漏极区域的第二集合的顶部部分转换为金属硅化物并且将牺牲外延层转换为牺牲硅化物层，其中在牺牲外延层下方的外延源极/漏极区域的第一集合并未受硅化工艺影响；选择性地移除牺牲硅化物层；以及将外延源极/漏极区域的第一集合的顶部部分转换为另一金属硅化物。

公开(公告)号：CN105518849A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480047361.X

申请日：2014-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿杜苏米利 ,  E·阿尔普特金 ,  程慷果 ,  S·波诺斯 ,  B·普拉纳萨蒂哈兰

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628

Abstract: 一种形成晶体管的硅化物接触的方法包括形成晶体管的第一集合的外延源极/漏极区域的第一集合；在外延源极/漏极区域的第一集合的顶部上形成牺牲外延层；形成晶体管的第二集合的外延源极/漏极区域的第二集合；在硅化工艺中将外延源极/漏极区域的第二集合的顶部部分转换为金属硅化物并且将牺牲外延层转换为牺牲硅化物层，其中在牺牲外延层下方的外延源极/漏极区域的第一集合并未受硅化工艺影响；选择性地移除牺牲硅化物层；以及将外延源极/漏极区域的第一集合的顶部部分转换为另一金属硅化物。