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公开(公告)号：CN113035790B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911347198.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/498
Abstract: 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块，涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体，主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘，其特征在于，第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台，从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积，有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。
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公开(公告)号：CN117374067A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311399440.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体模块及控制器，解决了功率模块的空间越来越小，各自独立封装的模块已不能满足空间尺寸的需求的问题。该功率半导体模块包括：基板、多个衬板和多个换流单元；其中每两个所述换流单元互相串联后设置在一个所述衬板上；多个所述衬板设置在所述基板上。
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公开(公告)号：CN112993616B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911290617.0
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率模块结构，涉及半导体器件技术领域，用于改善端子与内部电路板之间的硬连接并提升功率模块的可靠性。本发明的功率模块结构，包括盖板、散热基板和弹性导电元件，由于在端子与内部电路板之间设置了弹性导电元件，并且仅弹性导电元件与内部电路板之间的连接为硬连接，而弹性导电元件与端子之间的连接为接触连接，因此在实现电气导通的前提下，使二者之间具有缓冲的余量，避免了现有技术中的硬连接及由此引入的不确定性，有利于功率模块结构在该连通界面可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN112993616A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911290617.0
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率模块结构，涉及半导体器件技术领域，用于改善端子与内部电路板之间的硬连接并提升功率模块的可靠性。本发明的功率模块结构，包括盖板、散热基板和弹性导电元件，由于在端子与内部电路板之间设置了弹性导电元件，并且仅弹性导电元件与内部电路板之间的连接为硬连接，而弹性导电元件与端子之间的连接为接触连接，因此在实现电气导通的前提下，使二者之间具有缓冲的余量，避免了现有技术中的硬连接及由此引入的不确定性，有利于功率模块结构在该连通界面可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN111223838A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010026532.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473
Abstract: 本发明提出了一种高效散热绝缘衬板，包括依次层叠设置的上金属层、陶瓷层和下金属层，所述陶瓷层内设置有流道结构，所述流道结构布满半导体芯片的发热区域。本发明的绝缘衬板陶瓷层内部设置有通道结构，使得高效散热效果的绝缘衬板设计不再受限于材料特性的选择，可以实现从半导体芯片到冷却液之间的直接散热，改善了模块内部散热路径，增强了模块散热效率，提高功率模块的热稳定性及长期可靠性。
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公开(公告)号：CN118366947A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311755263.9
申请日：2023-12-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/492 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种电子封装器件及功率模块，涉及半导体封装技术领域。本发明的电子封装器件包括用于安装芯片的衬板、包裹在衬板外的塑封体、以及用于连接衬板和外部电器的多个第一端子；第一端子至少部分嵌入塑封体内，第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，以形成接触密封。由于第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，转模时第一连接段与上模腔壁面直接接触，因此无需在塑封模具上为每个PIN针单独配置定位结构；由于在塑封时第一端子的台阶端面与塑封体之间形成接触密封，解决了转模塑封时容易发生环氧树脂外溢的问题。
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公开(公告)号：CN114068449A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111537612.0
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅，所述针翅构造为以下一种或几种：在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合；从而提高对散热需求高的区域的换热效率，有利于避免出现散热短板；将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域，由于第一结构的针翅有较高散热能力，有利于避免该区域成为散热短板；不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同，使得模块在保持散热性能的前提下，冷却液流阻降低。
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公开(公告)号：CN113035790A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911347198.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/498
Abstract: 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块，涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体，主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘，其特征在于，第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台，从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积，有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。
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公开(公告)号：CN222029076U
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202323480207.7
申请日：2023-12-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/492 , H01L25/07
Abstract: 本实用新型涉及一种电子封装器件及功率模块，涉及半导体封装技术领域。本实用新型的电子封装器件包括用于安装芯片的衬板、包裹在衬板外的塑封体、以及用于连接衬板和外部电器的多个第一端子；第一端子至少部分嵌入塑封体内，第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，以形成接触密封。由于第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，转模时第一连接段与上模腔壁面直接接触，因此无需在塑封模具上为每个PIN针单独配置定位结构；由于在塑封时第一端子的台阶端面与塑封体之间形成接触密封，解决了转模塑封时容易发生环氧树脂外溢的问题。
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公开(公告)号：CN216563104U
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202123172901.3
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅，所述针翅构造为以下一种或几种：在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合；从而提高对散热需求高的区域的换热效率，有利于避免出现散热短板；将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域，由于第一结构的针翅有较高散热能力，有利于避免该区域成为散热短板；不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同，使得模块在保持散热性能的前提下，冷却液流阻降低。
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