公开(公告)号：CN104889879B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510095290.7

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  八木圭太

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B49/12

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/005 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够与工艺特性的变化无关地实现良好的残存膜厚分布控制的研磨装置以及研磨方法。研磨装置具备支持研磨垫(2)用的研磨台(3)、对基板的背面的多个区域分别施加压力，将基板的表面按压在研磨垫(2)上的顶环(1)、取得膜厚信号的膜厚传感器(7)、以及对压力进行操纵的研磨控制部(9)。研磨控制部(9)在基板的研磨过程中计算出基板表面的多个区域内的残存膜厚的指数，为了根据指数对残存膜厚分布进行控制，对压力进行操纵，利用在基板研磨过程中得到的研磨数据对控制参数中的至少一个进行更新。

公开(公告)号：CN108878363A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201710333287.3

申请日：2017-05-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 蒋莉

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成含C介质膜；对所述含C介质膜进行化学机械研磨工艺，其中，所述化学机械研磨工艺的步骤包括通过研磨垫对所述含C介质膜进行多次研磨操作，且在每一次研磨操作之前以及之后，采用弱酸清洗液对所述研磨垫进行清洗操作。本发明通过研磨垫对含C介质膜进行多次研磨操作时，在每一次研磨操作之前以及之后，采用弱酸清洗液对所述研磨垫进行清洗操作，从而去除所述研磨垫表面的有机残留物，避免在所形成半导体结构表面形成有机残留物和划痕缺陷，进而提高所形成半导体结构电学性能。

公开(公告)号：CN105934487B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201580005687.0

申请日：2015-01-21

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： M·劳特尔 ,  R·朗格 ,  B·M·诺勒 ,  M·希伯特

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09G1/18 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76224

Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：(A)胶态或烟雾状无机颗粒或其混合物，(B)聚氨基酸和/或其盐，和(M)水性介质。

公开(公告)号：CN104681493B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201310617911.4

申请日：2013-11-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王新鹏 ,  宁先捷

IPC: H01L27/11524

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有若干隔离结构，所述隔离结构的表面高于所述衬底的表面；在所述衬底和隔离结构表面形成器件层；对所述器件层进行抛光工艺，直至暴露出隔离结构表面为止，所述抛光工艺对于器件层和隔离结构的抛光速率相同；在所述抛光工艺之后，采用干法处理工艺去除所述器件层和隔离结构表面的残余物质。所形成的半导体结构的形貌良好、性能稳定。

公开(公告)号：CN108352357A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680052233.3

申请日：2016-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 埃莉卡·陈 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·D·涅曼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/762 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76828

Abstract: 本文描述的实施方案关于用于形成间隙填充材料的方法。在沉积间隙填充材料之后并在间隙填充材料上执行CMP工艺之前，利用一种或多种离子注入工艺来处理沉积的间隙填充材料。所述一种或多种离子注入工艺包括使用第一离子能量在所述间隙填充材料中注入第一离子物种，并且随后使用低于所述第一离子能量的第二离子能量在所述间隙填充材料中注入第二离子物种。所述一种或更多种离子注入工艺最小化CMP凹陷并改良凹槽的轮廓。

公开(公告)号：CN108305851A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711065994.5

申请日：2017-11-02

Applicant: 马维尔以色列(M.I.S.L.)有限公司

Inventor： A·塔图尔 ,  C·平卡

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/585 ,  G06F17/5072 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L27/00

Abstract: 本公开涉及裸片上密封环。例如，本公开的多个方面提供了形成在裸片上的集成电路(IC)。IC包括第一一个或多个电子电路和密封环结构。第一一个或多个电子电路设置在第一半导体衬底上。第一半导体衬底从半导体晶片被划切。密封环结构被配置为围绕第一一个或多个电子电路。通过使用两个或更多电路形成工艺步骤对半导体晶片上的一层或多层金属化合物进行图案化来形成密封环结构。密封环结构包括在切割完整密封环结构的划切工艺步骤之后的完整密封环结构的剩余部分。完整密封环结构已经被形成在半导体晶片上，以围绕第一一个或多个电子电路以及第二半导体衬底上的至少第二一个或多个电子电路，第二半导体衬底是从半导体晶片划切的。

公开(公告)号：CN105336688B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201410231340.5

申请日：2014-05-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘焕新

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括第一区域和第二区域；形成覆盖部分第一区域的第一伪栅极和覆盖部分第二区域的器件层，第一伪栅极和器件层的表面齐平；在半导体衬底表面形成介质层，介质层的表面与第一伪栅极、器件层的表面齐平；去除第一伪栅极，形成第一凹槽；在第一凹槽内壁、介质层和器件层上形成填充满第一凹槽的第一金属层；采用化学机械研磨工艺，对第一金属层进行第一平坦化处理，去除位于介质层和器件层表面的第一金属层，在第一凹槽内形成第一栅极，所述第一平坦化处理采用的研磨液内具有保护剂，在平坦化过程中在所述器件层的表面形成保护层。上述方法可以在形成第一栅极的过程中，使器件层的表面不受损伤。

公开(公告)号：CN105132979B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510296345.0

申请日：2015-06-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿图·克里克斯

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L23/528 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1664 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明涉及用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化，具体提供了一种用于电镀衬底的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底的顶表面上设置的导电层，所述衬底的所述顶表面具有边缘排除区和处理区；在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，以在所述边缘排除区处的所述导电层上镀敷金属材料；使所述无电沉积溶液流持续一段时间，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度减小在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻；在所述金属材料上施加电触件，以及在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料。

公开(公告)号：CN104412316B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380036022.7

申请日：2013-06-27

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： R·赖夏特 ,  Y·李 ,  M·劳特尔

IPC: G09G1/02 ,  G09G1/14 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物(Q)，其包含(A)无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物，其中所述颗粒呈茧形，(B)非离子性表面活性剂，(C)包含至少一个酸基团(Y)的芳香化合物或其盐，及(M)水性介质。

公开(公告)号：CN104871431B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380066077.2

申请日：2013-12-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  多井知义 ,  池尻光雄

IPC: H03H3/08

CPC classification number: H01L41/332 ,  H01L21/3212 ,  H01L41/107 ,  H01L41/312 ,  H01L41/337 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02574 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明的复合基板的制作方法包含：工序(a)：将压电基板和支撑基板接合形成直径在4英寸以上的粘合基板，通过镜面研磨粘合基板的压电基板侧，将所述压电基板的厚度研磨至3μm以下；工序(b)：制作所述镜面研磨后的压电基板的厚度分布数据；工序(c)：基于所述厚度分布数据，利用离子束加工机对所述压电基板进行加工获得复合基板，其中厚度在3μm以下的所述压电基板在整个平面上厚度的最大值和最小值的差在60nm以下，且所述压电基板显示出通过X射线衍射获得的摇摆曲线的半峰宽为100弧秒以下的结晶性。