公开(公告)号：CN108281410A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711462241.8

申请日：2013-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育蔚 ,  吴胜郁 ,  曾裕仁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了凸块导线直连(BOT)结构的一个实施例，包括：由集成电路支撑的接触元件、与接触元件电连接的凸块下金属(UBM)部件、设置在凸块下金属部件和集成电路之间的绝缘层和钝化层；安装在凸块下金属部件上的金属梯状凸块和安装在衬底上的衬底导线，其中，金属梯状凸块具有第一楔形轮廓，并具有最接近集成电路的安装端和离集成电路最远的末端，末端的宽度介于10μm至80μm之间，安装端的宽度介于20μm至90μm之间，该衬底导线具有第二楔形轮廓并且通过直接金属与金属接合连接至金属梯状凸块。可以以类似的方式制造芯片与芯片结构的实施例。本发明还提供了互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN102820275B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201210184230.9

申请日：2012-06-05

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： 维贾伊·乌拉尔 ,  阿尔卡迪·V·萨莫伊洛夫

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本申请案涉及一种晶片级封装装置。所述晶片级封装装置的两个邻近附接凸块之间的最小距离小于所述两个邻近附接凸块之间的间距的约百分之二十五(25％)。两个邻近附接凸块之间的最小距离允许增加每面积的附接凸块的数目而不缩减凸块的大小，这增加了焊接可靠性。增加的焊接可靠性可缩减对附接凸块的应力，尤其是由在热循环试验期间的CTE失配、在跌落试验或循环弯曲试验期间的动态变形等等引起的应力。

公开(公告)号：CN106847784A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710061288.7

申请日：2012-06-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绀野顺平 ,  西田隆文 ,  木下顺弘 ,  长谷川和功 ,  杉山道昭

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中，通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热，以使其一体化并电连接。其中，所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热，可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着，在倒装芯片的连接工序中，将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此，可减少焊锡的渗出量。

公开(公告)号：CN102856220B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210229643.4

申请日：2012-06-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绀野顺平 ,  西田隆文 ,  木下顺弘 ,  长谷川和功 ,  杉山道昭

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中，通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热，以使其一体化并电连接。其中，所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热，可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着，在倒装芯片的连接工序中，将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此，可减少焊锡的渗出量。

公开(公告)号：CN103377955B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210365144.8

申请日：2012-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李明机 ,  刘重希 ,  陈孟泽 ,  林威宏 ,  郑明达

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/05 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

Abstract: 所述的形成叠层封装件(PoP)结构的机构的实施例包括将具有非焊料金属球的连接件接合至封装衬底。非焊料金属球可以包括焊料涂覆层。具有非焊料金属球的连接件可以基本上保持连接件的形状并且控制上封装件和下封装件之间的接合结构的高度。具有非焊料金属球的连接件不太可能导致连接件之间的桥接或者接合连接件的断路(虚焊)。结果，具有非焊料金属球的连接件的间距可保持很小。本发明还包括叠层封装件结构的形成方法。

公开(公告)号：CN102034741B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201010254550.8

申请日：2010-08-11

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： M·J.·塞登 ,  F·J.·卡尼

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/58 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/11914 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13584 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及制造半导体组件和结构的方法。一种半导体组件和用于制造半导体组件的方法，其包括光致抗蚀剂层的双曝光或多层光致抗蚀剂的使用。金属化结构在布置在基底上的导电材料层上形成，且光致抗蚀剂层在金属化结构上形式。光致抗蚀剂层被暴露给光并被显影以移除光致抗蚀剂层的一部分，从而形成开口。接着，光致抗蚀剂层的较大部分被暴露给光，且导电互连物在开口中形成。光致抗蚀剂层的被暴露给光的较大部分被显影，以暴露导电互连物的边缘和金属化结构的部分。保护层在导电互连物的顶部和边缘上并在金属化结构的被暴露部分上形成。

公开(公告)号：CN102915986B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210444502.4

申请日：2012-11-08

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 林仲珉

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13541 ,  H01L2224/13553 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13794 ,  H01L2224/138 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极；位于所述球下金属电极表面的焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的部分金属焊盘。本发明的芯片封装结构增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。

公开(公告)号：CN103915396A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310384819.8

申请日：2013-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄贵伟 ,  陈威宇 ,  陈孟泽 ,  林威宏 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1705 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开的一种形成管芯封装件和层叠封装（PoP）结构的原理的描述性实施例包括：在管芯封装件的外部连接件的金属球上方形成焊膏层。焊膏层保护金属球不被氧化。此外，所述焊膏层能够与另一个管芯封装件进行焊料与焊料之间的接合。进一步地，焊膏层移动形成在焊膏层和金属球之间且位于管芯封装件的模塑料的表面下方的金属间化合物（IMC）层。具有位于表面下方的IMC层增强了两个管芯封装件之间的接合结构。本发明还公开了一种层叠封装接合结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103066052A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210402807.9

申请日：2012-10-22

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金圣敏

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1182

Abstract: 本发明公开了半导体封装体和堆叠半导体封装体。半导体封装体包括：半导体芯片，具有多个接合垫；电介质构件，形成在半导体芯片之上使得各个接合垫的一部分被暴露，并且具有梯形截面形状；以及凸块，形成为覆盖各个接合垫的暴露部分和电介质构件的一部分，并且具有台阶状截面形状。

公开(公告)号：CN102148211B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010213358.4

申请日：2010-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖怡仁 ,  韩至刚 ,  詹前彬 ,  简智源 ,  杨怀德

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。