公开(公告)号：CN105518850B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201380079333.1

申请日：2013-09-04

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 高久悟 ,  高冢千州都

IPC: H01L23/00 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3135 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备：形成有第1接触部的基板、和在基板上以避开第1接触部的方式设置并使用了磁性体的下部屏蔽板。另外，半导体装置具备：设置于下部屏蔽板上并具有与第1接触部电连接的第2接触部的半导体芯片、和将第1接触部与第2接触部电连接的连接件。此外，半导体存储装置具备在半导体芯片上以避开第2接触部和连接件的方式设置并使用了磁性体的上部屏蔽板。下部屏蔽板和上部屏蔽板的至少一方的屏蔽板，具有端部向另一方的屏蔽板弯折且前端与另一方的屏蔽板连接的侧壁部。

公开(公告)号：CN105493267B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201380079311.5

申请日：2013-09-04

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 高久悟

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据实施方式,半导体装置具备:基板、多个绝缘层、下部屏蔽板、半导体器件、上部屏蔽板和侧部屏蔽材料。在基板上形成有第1接触部。下部屏蔽板使用磁性体,所述磁性体在基板上以避开第1接触部的方式设置。半导体芯片被设置在下部屏蔽板上,具有与第1接触部电连接的第2接触部。上部屏蔽板使用磁性体,所述磁性体在半导体芯片上以避开第2接触部和连接件的方式设置。侧部屏蔽材料使用磁性体,所述磁性体将下部屏蔽板和上部屏蔽板的没有配置连接件的侧部连接。