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公开(公告)号：CN1305133C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200310119538.6
申请日：2003-11-28
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L27/12 , H01L21/28 , H01L21/60
Abstract: 本发明得到易制造的半导体器件。具备：互相相向配置的第1和第2半导体衬底(1、2)；在第1半导体衬底(1)的相向面上形成、由第1半导体电路(3)和第1电极(7)构成的第1半导体元件(5)；在第2半导体衬底(2)的相向面上形成、由第2半导体电路(4)和第2电极(8)构成的第2半导体元件(6)；夹在第1与第2电极(7、8)之间的布线层(9)；及贯通第1半导体衬底(1)，同时连接在布线层(9)上且经布线层(9)与第1和第2电极(7、8)连接的贯通电极(12)，第2半导体衬底(2)在贯通电极(12)的侧面方向隔开配置，从第1半导体衬底(1)突出的贯通电极(12)的侧面和第2半导体元件(6)的侧面被绝缘材料(13)覆盖，贯通电极(12)的一端从第1半导体衬底(1)背面露出，另一端位于与第2半导体衬底(2)背面相同的高度，并从绝缘材料(13)露出。
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公开(公告)号：CN100514565C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510084836.5
申请日：2005-07-18
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/0231 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。
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公开(公告)号：CN100397601C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410011782.5
申请日：2004-09-29
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1147 , H01L2224/11902 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该制造方法包括：形成钝化膜的工序，上述钝化膜覆盖形成有电极的半导体基板的形成该电极的一面并形成有使规定的该电极露出的开口；在上述钝化膜的开口附近，形成由金属构成的扩散防止接头的工序；向上述半导体基板的形成上述扩散防止接头的一面供给金属材料而形成由该金属构成的晶种层的工序；形成抗蚀剂膜的工序，上述抗蚀剂膜覆盖上述晶种层并形成有使上述扩散防止接头上方的上述晶种层的规定区域露出的开口；向上述抗蚀剂膜的开口内供给金属材料而形成由该金属构成的突起电极的工序；在形成该突起电极的工序后，去除上述抗蚀剂膜的工序；在形成上述突起电极的工序后，去除上述晶种层的工序。
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公开(公告)号：CN101179058A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710196110.X
申请日：2004-05-13
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN1638076A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098022.2
申请日：2004-12-03
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/73257 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/04941 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面并在上述表面形成有功能元件的半导体基板的上述表面，形成向该半导体基板的厚度方向延伸的凹部的工序；向上述凹部的内壁面供给不活泼的第1金属材料而形成氧化防止膜的工序；在该形成氧化防止膜的工序后，向上述凹部内供给含有比上述第1金属材料易氧化的金属的第2金属材料的工序；电连接上述第2金属材料与上述功能元件的工序；在残留上述氧化防止膜的状态下，从其背面去除上述半导体基板，使之变得比上述凹部的深度薄，将上述凹部形成为贯通基板的贯通孔，将上述第2金属材料形成为电连接上述表面侧与上述背面侧的贯通电极，同时形成为从上述背面侧突出的背面侧突起电极的薄型化工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100437951C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200310116443.9
申请日：2003-11-21
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05027 , H01L2224/05184 , H01L2224/05568 , H01L2224/10126 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01052 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/131 , H01L2224/13099 , H01L2224/29099 , H01L2224/05611 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成由金属构成的、在给定位置上具有开口的阻挡掩模层的工艺；向上述阻挡掩模层的开口内供给金属材料并形成由该金属构成的凸出电极的金属材料供给工艺；在该金属材料供给工艺之后除去上述阻挡掩模层的工艺。
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公开(公告)号：CN100383937C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410044584.9
申请日：2004-05-13
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面且在表面上形成有功能元件的半导体基板的表面，形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序；向该表面侧凹处内供给金属材料，形成与功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序；从背面去除半导体基板，将半导体基板薄形化至比表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序；在该薄型化工序之后，通过在半导体基板的背面形成与表面侧凹处连通的背面侧凹处，从而形成包括表面侧凹处和背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序；向背面侧凹处供给金属材料，形成与表面侧电极电连接的、与表面侧电极一起构成贯通半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。
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公开(公告)号：CN1738002A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510084836.5
申请日：2005-07-18
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/0231 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。
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公开(公告)号：CN1674282A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059014.1
申请日：2005-03-24
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/1134 , H01L2224/13021 , H01L2224/13025 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置制造方法，包括：准备半导体芯片的工序，该半导体芯片具有表面和背面，并具有半导体基板、在该半导体基板的上述表面侧形成的功能元件、在厚度方向贯通上述半导体基板之贯通孔内配置的与上述功能元件电连接的贯通电极、与上述贯通电极电连接并且从上述表面突出的表面侧连接部件、与上述贯通电极电连接并且在上述背面上所形成的凹部分内具有接合面的背面侧连接部件；准备固体装置的工序，在该固体装置的一个表面上形成用于与上述表面侧连接部件连接的固体装置侧连接部件；接合工序，通过保持上述半导体芯片的背面而使上述半导体芯片的表面与上述固体装置的上述一个表面相面对，将上述表面侧连接部件与上述固体装置侧连接部件接合。
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公开(公告)号：CN1604293A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410011782.5
申请日：2004-09-29
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1147 , H01L2224/11902 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该制造方法包括：形成钝化膜的工序，上述钝化膜覆盖形成有电极的半导体基板的形成该电极的一面并形成有使规定的该电极露出的开口；在上述钝化膜的开口附近，形成由金属构成的扩散防止接头的工序；向上述半导体基板的形成上述扩散防止接头的一面供给金属材料而形成由该金属构成的晶种层的工序；形成抗蚀剂膜的工序，上述抗蚀剂膜覆盖上述晶种层并形成有使上述扩散防止接头上方的上述晶种层的规定区域露出的开口；向上述抗蚀剂膜的开口内供给金属材料而形成由该金属构成的突起电极的工序；在形成该突起电极的工序后，去除上述抗蚀剂膜的工序；在形成上述突起电极的工序后，去除上述晶种层的工序。
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