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公开(公告)号：CN101609828A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910142660.2
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/81136 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。如果在芯片背面形成贯通电极以及背面布线，则通过作为贯通电极的一部分的背面布线焊盘以及背面布线，在芯片背面形成凸部。以此为原因，在吸附芯片时引起空气的泄漏而引起芯片吸附力降低。在形成背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)的区域中，预先形成凹部(100)。在该凹部(100)内部设置背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)。由此，通过由于背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)厚度而产生的凸部，确保芯片(1C)背面的平坦性，而不会在处理芯片(1C)时造成吸附力降低。
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公开(公告)号：CN101320702A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810110005.4
申请日：2008-06-02
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L24/05 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05553 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/90 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以提高具有三维地层叠的多个半导体芯片的半导体器件的制造成品率。形成有从半导体基板(1)的第2面(1b)到达焊盘(3)的贯通电极(17)。贯通电极(17)的内部的贯通空间是由第1孔(7)以及孔径小于第1孔(7)的第2孔(11)构成的。从半导体基板(1)的第2面(1b)贯通半导体基板(1)直到层间绝缘膜(2)的途中地形成有第1孔(7)。另外，形成有从第1孔(7)的底部贯通层间绝缘膜(2)到达焊盘(3)的第2孔(11)。此时，形成在半导体基板(1)的第1面(1a)上的层间绝缘膜(2)反映第1孔(7)的底面与半导体基板(1)的第1面(1a)造成的台阶而成为台阶形状。即，存在于第1孔(7)的底面与焊盘(3)间的层间绝缘膜(2)的膜厚比其他位置的层间绝缘膜(2)的膜厚薄。
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公开(公告)号：CN101320702B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810110005.4
申请日：2008-06-02
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L24/05 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05553 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/90 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以提高具有三维地层叠的多个半导体芯片的半导体器件的制造成品率。形成有从半导体基板(1)的第2面(1b)到达焊盘(3)的贯通电极(17)。贯通电极(17)的内部的贯通空间是由第1孔(7)以及孔径小于第1孔(7)的第2孔(11)构成的。从半导体基板(1)的第2面(1b)贯通半导体基板(1)直到层间绝缘膜(2)的途中地形成有第1孔(7)。另外，形成有从第1孔(7)的底部贯通层间绝缘膜(2)到达焊盘(3)的第2孔(11)。此时，形成在半导体基板(1)的第1面(1a)上的层间绝缘膜(2)反映第1孔(7)的底面与半导体基板(1)的第1面(1a)造成的台阶而成为台阶形状。即，存在于第1孔(7)的底面与焊盘(3)间的层间绝缘膜(2)的膜厚比其他位置的层间绝缘膜(2)的膜厚薄。
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公开(公告)号：CN101101909A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710110130.0
申请日：2007-06-18
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: G11C29/48 , G11C5/02 , G11C29/1201 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/06558 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种包含微计算机芯片和多个高速存储芯片、而且能够使存储芯片的布线长度相等的半导体器件。半导体器件包括第一布线衬底、安装在第一布线衬底上的微计算机芯片、设置在微计算机芯片上的第二布线衬底、用于将第一和第二布线衬底相互连接的多个第一焊料凸起、和作为形成于布线衬底背表面上的外部端子的多个第二焊料凸起。作为高速存储芯片的第一存储芯片和第二存储芯片层积在第二布线衬底内，第一存储芯片的导线与第二存储芯片的导线的长度在第二布线衬底内相等，具有第二布线衬底的完整封装结构安装在具有第一布线衬底的完整封装结构上。
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公开(公告)号：CN101303984A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810109439.2
申请日：2002-04-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/28 , H01L23/3128 , H01L23/50 , H01L23/5386 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06558 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括下列工序：(a)制备布线衬底，所述布线衬底具有多个封装衬底形成区域、在多个封装衬底形成区域之间形成的分切区域、与多个封装衬底形成区域和分切区域连续地形成的多个布线、以及分别与多个布线电连接的多个键合焊盘；(b)在工序(a)之后，去除形成在分切区域中的多个布线；(c)在工序(b)之后，在多个封装衬底形成区域上方分别安装多个半导体芯片，该多个半导体芯片的每个具有主面和形成在该主面上的多个电极；(d)在工序(c)之后，将多个电极分别与多个键合焊盘电连接；(e)在工序(d)之后，用树脂密封多个半导体芯片；以及(f)在工序(e)之后，使用分切刀片来切割分切区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1531085A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200310120598.X
申请日：2003-12-15
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0652 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/00012 , H01L2924/207
Abstract: 拟减小有多个芯片的多芯片模块(高密度封装)尺寸并改善其可靠性和功能性。由绝缘膜和导电膜交替重复地分层叠置和加工而成复合基板，将微机芯片形成有凸块电极的表面朝下用导线倒装焊接至复合布线基板上。使存储器芯片形成有焊盘等的表面朝上，将存储器芯片焊接至微机芯片上。芯片的焊盘用导线与布线基板边沿的焊盘连接。这样，将具有多功能和大量引线端的微机芯片置于下层，就可达到减小器件尺寸之类的目的。
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公开(公告)号：CN1505146A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118688.5
申请日：2003-11-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 新光电气工业株式会社
IPC: H01L25/00
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2225/06558 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01021 , H01L2924/15311 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 提供了一种具有高性能的紧凑多芯片模块。多个第一种半导体芯片，贴片式安装在一片安装基板的表面上，以便交换信号。一个第二种半导体芯片，其大部分焊接点沿着其一侧排列，与安装基板上的至少一个第一种半导体芯片背靠背地安装。由丝焊连接第二种半导体芯片的焊接点和安装基板上形成的对应电极。利用一种密封材料，封装安装基板上的第一种和第二种半导体芯片以及焊线。
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公开(公告)号：CN100472782C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200310120598.X
申请日：2003-12-15
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0652 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/00012 , H01L2924/207
Abstract: 拟减小有多个芯片的多芯片模块(高密度封装)尺寸并改善其可靠性和功能性。由绝缘膜和导电膜交替重复地分层叠置和加工而成复合基板，将微机芯片形成有凸块电极的表面朝下用导线倒装焊接至复合布线基板上。使存储器芯片形成有焊盘等的表面朝上，将存储器芯片焊接至微机芯片上。芯片的焊盘用导线与布线基板边沿的焊盘连接。这样，将具有多功能和大量引线端的微机芯片置于下层，就可达到减小器件尺寸之类的目的。
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公开(公告)号：CN100407422C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN02811441.8
申请日：2002-04-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/28 , H01L23/3128 , H01L23/50 , H01L23/5386 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06558 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。在安装于多芯片模块(MCM)的封装衬底(1)上的三个芯片(2A)、(2B)和(2C)中，其上形成DRAM的芯片(2A)和其上形成快速存储器的芯片(2B)通过Au凸点(4)与封装衬底(1)的布线(5)电连接，并且在芯片(2A)和(2B)的主面(下表面)和封装衬底(1)的主面之间的间隙中填充下填树脂(6)。在两个芯片(2A)和(2B)上安装其上形成高速微处理器的芯片(2C)，并且该芯片(2C)通过Au引线(8)与封装衬底(1)的键合焊盘(9)电连接。
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公开(公告)号：CN1516898A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02811441.8
申请日：2002-04-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/28 , H01L23/3128 , H01L23/50 , H01L23/5386 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06558 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。在安装于多芯片模块(MCM)的封装衬底(1)上的三个芯片(2A)、(2B)和(2C)中，其上形成DRAM的芯片(2A)和其上形成快速存储器的芯片(2B)通过Au凸点(4)与封装衬底(1)的布线(5)电连接，并且在芯片(2A)和(2B)的主面(下表面)和封装衬底(1)的主面之间的间隙中填充下填树脂(6)。在两个芯片(2A)和(2B)上安装其上形成高速微处理器的芯片(2C)，并且该芯片(2C)通过Au引线(8)与封装衬底(1)的键合焊盘(9)电连接。
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