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公开(公告)号：CN100428449C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN02126233.0
申请日：1997-07-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , B29C43/18 , B29C2043/3444 , B29C2043/3628 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L21/6835 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49572 , H01L23/4985 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L29/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/0556 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/274 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/50 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/85001 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06579 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1005 , H01L2225/1064 , H01L2225/107 , H01L2225/1082 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15173 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供了一种半导体装置，其特征在于包括：在半导体器件上形成的多个电极焊盘；在上述半导体器件上与上述电极焊盘分开形成的多个突出电极；在电极焊盘和突出电极之间选择性形成的互连图形，用来互连上述电极焊盘和上述突出电极；以及在上述半导体器件的表面上形成的树脂层，所述树脂层至少覆盖上述电极焊盘和上述互连图形，并密封住上述突出电极的除了顶端部分以外的其它部分，其中，上述树脂层和上述半导体器件各自的侧面形成有用划片机切割所形成的切面。
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公开(公告)号：CN1290169C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03120223.3
申请日：2003-03-07
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/0675 , G01R1/06733 , G01R1/07342 , G01R3/00
Abstract: 通过对由导电材料构成的接触电极照射激光束，成型具有具有预定形状的接触电极。在将接触端相对侧的、每个接触电极的端部接合到接触板上后，可以照射激光束，以使接触电极变形，从而使接触端位于预定位置。在加热或冷却激光束照射部分对面的接触电极部分时，照射激光束。
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公开(公告)号：CN1841693A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510103957.X
申请日：2005-09-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2887
Abstract: 本发明提出一种测试装置，其能够通过从半导体器件的背面将半导体器件按压到接触器上，对多个半导体器件中的任一个进行测试。测试电路板具有接触器，该接触器设有与待测试的半导体器件的外部连接端子对应的接触片。支撑板能够将半导体器件以对齐的状态安装在该支撑板上。工作台支撑该支撑板。按压头按压所述支撑板上安装的待测试的半导体器件，以使待测试的半导体器件的外部连接端子与接触器的接触片相接触。该工作台可移动到使安装在该支撑板上的至少一个待测试的半导体器件面对该接触器的位置。
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公开(公告)号：CN1476068A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03120223.3
申请日：2003-03-07
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/0675 , G01R1/06733 , G01R1/07342 , G01R3/00
Abstract: 通过对由导电材料构成的接触电极照射激光束，成型具有具有预定形状的接触电极。在将接触端相对侧的、每个接触电极的端部接合到接触板上后，可以照射激光束，以使接触电极变形，从而使接触端位于预定位置。在加热或冷却激光束照射部分对面的接触电极部分时，照射激光束。
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公开(公告)号：CN1420538A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02126232.2
申请日：1997-07-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , B29C43/18 , B29C2043/3444 , B29C2043/3628 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L21/6835 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49572 , H01L23/4985 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L29/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/0556 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/274 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/50 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/85001 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06579 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1005 , H01L2225/1064 , H01L2225/107 , H01L2225/1082 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15173 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1259767A
公开(公告)日：2000-07-12
申请号：CN99127780.5
申请日：1999-12-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 丸山茂幸
CPC classification number: H01L22/32 , G01R31/2831 , G01R31/2884 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/14
Abstract: 晶片级封装,电路形成区域包括提供有测试芯片端子和非测试芯片端子的半导体芯片;至少一个外部连接端子,至少一个再分布导电条;至少一个测试构件,以及绝缘材料。再分布导电条)的第一端连接到一个测试芯片端子,第二端延伸到与其中一个芯片端子偏移的位置。测试构件提供在电路形成区域的外部区域中,再分布导电条的第二端连接到至少一个测试构件。
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公开(公告)号：CN1783470A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510118900.7
申请日：1997-07-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；以及形成在半导体器件的表面上、密封住除了突出电极的顶端部分的上述突出电极的树脂层；上述突出电极具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的导电膜。
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公开(公告)号：CN1701427A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03825273.2
申请日：2003-05-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , G01R31/2886 , H01L21/6835 , H01L22/32 , H01L24/48 , H01L24/72 , H01L24/81 , H01L2221/68354 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15173 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种LSI插件，包括LSI元件和配线基板。LSI元件的多个端子包括第1导电层、和重叠形成在第1导电层上的第2导电层，配线基板的多个端子包括接合在第2导电层的第3导电层和外部连接端子。第1、第2和第3导电层由第2导电层与第3导电层的金属间结合力比第1导电层与第2导电层的金属间结合力强的材料形成。LSI元件的试验使用配线基板的外部连接端子进行。第2导电层和第3导电层通过加压的凝集作用产生金属间结合，在试验中可靠地电接触。试验后将LSI元件的端子从配线基板的端子上剥离，这时将第2导电层转移到第3导电层上，在LSI元件上残留第1导电层。将LSI元件安装在另一个配线基板上。
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公开(公告)号：CN1192422C
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN99124343.9
申请日：1999-11-24
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 丸山茂幸
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/0408 , G01R1/07314 , G01R31/2831
Abstract: 本发明涉及测试形成有多个芯片和CSP(芯片尺寸封装)的晶片级的每个芯片上的半导体器件的探针卡和测试方法。探针卡的特征在于，包括：柔性接触板，按预定布局设置于接触板上的多个接触电极，设置于接触板上各电极组之间的刚性基片，其上具有暴露接触电极形成区的接触板的小孔，设置于接触板上与接触电极连接的布线。该探针卡的优点是，在测试晶片级芯片和CSP时，总是可以实现每个芯片和CSP电极焊盘的良好接触。
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公开(公告)号：CN1431518A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02147996.8
申请日：2002-11-01
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01R1/073
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06716 , H01R12/52 , H01R12/714 , H01R13/24
Abstract: 一种接触器包括绝缘材料的薄膜基片和在该基片上的多个布线图案，其中每一布线图案的第一端从该基片的第一边缘伸出作为第一接触端子，每一布线图案的第二端从该基片的第二边缘伸出作为第二接触端子，并且位于第一端和第二端之间的接触器的一部分可被弹性变形。
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