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公开(公告)号：CN100388454C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510103957.X
申请日：2005-09-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2887
Abstract: 本发明提出一种测试装置，其能够通过从半导体器件的背面将半导体器件按压到接触器上，对多个半导体器件中的任一个进行测试。测试电路板具有接触器，该接触器设有与待测试的半导体器件的外部连接端子对应的接触片。支撑板能够将半导体器件以对齐的状态安装在该支撑板上。工作台支撑该支撑板。按压头按压所述支撑板上安装的待测试的半导体器件，以使待测试的半导体器件的外部连接端子与接触器的接触片相接触。该工作台可移动到使安装在该支撑板上的至少一个待测试的半导体器件面对该接触器的位置，其中所述按压头相对所述支撑板是可移动的。
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公开(公告)号：CN1841693A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510103957.X
申请日：2005-09-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2887
Abstract: 本发明提出一种测试装置，其能够通过从半导体器件的背面将半导体器件按压到接触器上，对多个半导体器件中的任一个进行测试。测试电路板具有接触器，该接触器设有与待测试的半导体器件的外部连接端子对应的接触片。支撑板能够将半导体器件以对齐的状态安装在该支撑板上。工作台支撑该支撑板。按压头按压所述支撑板上安装的待测试的半导体器件，以使待测试的半导体器件的外部连接端子与接触器的接触片相接触。该工作台可移动到使安装在该支撑板上的至少一个待测试的半导体器件面对该接触器的位置。
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公开(公告)号：CN101061609A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200480044427.6
申请日：2004-11-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/308 , G01R1/0466 , G01R1/0483 , G01R1/06716 , H01R12/52 , H01R12/57 , H01R13/2485 , H01R2201/20 , H05K3/325 , H05K3/4623 , H05K2201/0311 , H05K2201/096 , H05K2201/10734
Abstract: 由导电性材料形成的接触件分别设置在接触器基板上的多个孔内。在各孔的内壁面上形成有导电部。接触件具有与电子元件的端子相接触的第一接触部、在中间部分与导电部相接触的第二接触部。当第一接触部被按压而使接触件弯曲时，第二接触部与接触器基板的导电部相接触而能够得到适当的接触压力。
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公开(公告)号：CN1206719C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02152681.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/0675 , G01R3/00 , H05K7/1069
Abstract: 本发明涉及接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法，其中，接触器具有接触器基片和在接触器基片上形成的多个接触电极。通过在金属引线的接合到接触器基片的一端和另一端之间弯曲金属引线而形成每一个接触电极。由切割面形成斜面。在接触电极的顶部形成因拉伸断裂而形成的断裂面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1449009A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02152681.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/0675 , G01R3/00 , H05K7/1069
Abstract: 本发明涉及接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法，其中，接触器具有接触器基片和在接触器基片上形成的多个接触电极。通过在金属引线的接合到接触器基片的一端和另一端之间弯曲金属引线而形成每一个接触电极。由切割面形成斜面。在接触电极的顶部形成因拉伸断裂而形成的断裂面。
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公开(公告)号：CN1701427A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03825273.2
申请日：2003-05-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , G01R31/2886 , H01L21/6835 , H01L22/32 , H01L24/48 , H01L24/72 , H01L24/81 , H01L2221/68354 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15173 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种LSI插件，包括LSI元件和配线基板。LSI元件的多个端子包括第1导电层、和重叠形成在第1导电层上的第2导电层，配线基板的多个端子包括接合在第2导电层的第3导电层和外部连接端子。第1、第2和第3导电层由第2导电层与第3导电层的金属间结合力比第1导电层与第2导电层的金属间结合力强的材料形成。LSI元件的试验使用配线基板的外部连接端子进行。第2导电层和第3导电层通过加压的凝集作用产生金属间结合，在试验中可靠地电接触。试验后将LSI元件的端子从配线基板的端子上剥离，这时将第2导电层转移到第3导电层上，在LSI元件上残留第1导电层。将LSI元件安装在另一个配线基板上。
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公开(公告)号：CN1431518A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02147996.8
申请日：2002-11-01
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01R1/073
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06716 , H01R12/52 , H01R12/714 , H01R13/24
Abstract: 一种接触器包括绝缘材料的薄膜基片和在该基片上的多个布线图案，其中每一布线图案的第一端从该基片的第一边缘伸出作为第一接触端子，每一布线图案的第二端从该基片的第二边缘伸出作为第二接触端子，并且位于第一端和第二端之间的接触器的一部分可被弹性变形。
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公开(公告)号：CN100394571C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN03825273.2
申请日：2003-05-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , G01R31/2886 , H01L21/6835 , H01L22/32 , H01L24/48 , H01L24/72 , H01L24/81 , H01L2221/68354 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15173 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种LSI插件，包括LSI元件和配线基板。LSI元件的多个端子包括第1导电层、和重叠形成在第1导电层上的第2导电层，配线基板的多个端子包括接合在第2导电层的第3导电层和外部连接端子。第1、第2和第3导电层由第2导电层与第3导电层的金属间结合力比第1导电层与第2导电层的金属间结合力强的材料形成。LSI元件的试验使用配线基板的外部连接端子进行。第2导电层和第3导电层通过加压的凝集作用产生金属间结合，在试验中可靠地电接触。试验后将LSI元件的端子从配线基板的端子上剥离，这时将第2导电层转移到第3导电层上，在LSI元件上残留第1导电层。将LSI元件安装在另一个配线基板上。
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公开(公告)号：CN1773679A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510053055.X
申请日：2005-03-08
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/302 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体衬底，消除了划线宽度所造成的局限，以增大半导体衬底上形成的半导体元件的数量。通过形成多个单位曝光和印刷区域，形成多个半导体元件区域，每个单位曝光和印刷区域包含半导体元件区域。第一划线在单位曝光和印刷区域内之所形成的半导体元件区域之间延伸。第二划线在单位曝光和印刷区域之间延伸。第一划线的宽度不同于第二划线的宽度。
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