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公开(公告)号：CN1677644A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510063003.0
申请日：2005-04-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L23/52 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图第一金属层，以形成构图的第一金属布线；在构图的第一金属布线上施加第一绝缘材料以形成支撑结构；通过接触印刷工艺构图第一绝缘材料；在支撑结构上沉积较低介电常数的第二绝缘材料；平面化第二绝缘材料；在平面化的第二绝缘材料上沉积抛光停止膜层，以形成多个金属柱；在抛光停止膜层上沉积第二金属层，以形成与所述柱的互连；以及构图金属层，以形成通过金属柱互连到第一金属布线的第二金属布线。
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公开(公告)号：CN107615480A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031423.7
申请日：2016-05-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 在形成包括被宽沟槽部分(52B)间隔开的窄沟槽部分(52A)的沟槽开口(52)并且在沟槽开口(52)的侧壁和底表面上形成第一扩散屏障层(62)和第一衬垫层(64)的堆叠之后，执行回流工艺以用第一传导材料层(66)填充窄沟槽部分(52A)而不填充宽沟槽部分(52B)。在第一衬垫层(64)的部分和被宽沟槽部分(52B)暴露的第一传导材料层(66)的末端上形成第二扩散屏障层(72)和第二衬垫层(74)的堆叠。沉积第二传导材料层(76)以填充宽沟槽部分(52B)。位于第一传导材料层(66)与第二传导材料层(76)之间的第二衬垫层(74)和第二扩散屏障层(72)的部分充当竖直阻挡边界以防止金属原子的电迁移。
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公开(公告)号：CN1327509C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510063003.0
申请日：2005-04-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L23/52 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图第一金属层，以形成构图的第一金属布线；在构图的第一金属布线上施加第一绝缘材料以形成支撑结构；通过接触印刷工艺构图第一绝缘材料；在支撑结构上沉积较低介电常数的第二绝缘材料；平面化第二绝缘材料；在平面化的第二绝缘材料上沉积抛光停止膜层，以形成多个金属柱；在抛光停止膜层上沉积第二金属层，以形成与所述柱的互连；以及构图金属层，以形成通过金属柱互连到第一金属布线的第二金属布线。
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公开(公告)号：CN111295771A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880071062.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底之上沉积绝缘层，蚀刻绝缘层以形成用于接收第一导电材料的多个沟槽，在多个沟槽中的至少一个沟槽之上形成电阻切换存储器元件，电阻切换存储器元件具有形成在其上的导电盖，以及在沟槽之上沉积电介质盖。该方法还包括蚀刻绝缘层的部分以暴露形成在电阻切换存储器元件上方的电介质盖的一部分，蚀刻电介质盖的暴露部分以暴露电阻切换存储器元件的导电盖，以及形成与导电盖的暴露部分直接接触的阻挡层。
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公开(公告)号：CN1661799B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410084013.8
申请日：2004-10-13
IPC: H01L23/552 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件。绝缘层包括第一介质材料和第二介质材料，第二介质材料不同于第一介质材料。在第一介质材料中形成具有第一图形的第一导电区，在第二介质材料中形成具有第二图形的第二导电区，第二图形不同于第一图形。第一介质材料和第二介质材料中的一个包括有机材料，另一个介质材料包括无机材料。第一和第二介质材料中的一个相对于另一个具有蚀刻选择性。还公开了在晶片保留在室中的同时清洁半导体晶片处理室的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101292345A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680039243.X
申请日：2006-09-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及包括倒置源极/漏极金属触点的场效应晶体管(FET)，该金属触点具有位于第一较低电介质层中的较低部分和位于第二较高电介质层中的较高部分。倒置源极/漏极金属触点的较低部分具有比较高部分更大的横截面积。优选地，倒置源极/漏极金属触点的较低部分的横截面积在约0.03μm2－约3.15μm2的范围内，并且这种倒置源极/漏极金属触点与FET的栅电极以在约0.001μm－约5μm范围内的距离相分隔。
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公开(公告)号：CN116636325A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180077847.8
申请日：2021-11-26
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种电阻式RAM(RRAM)装置，特别是用于交叉式阵列，其包括位于第一电极(110A)与第二电极(HOB)之间的电介质层(115)，电阻开关层(120)，以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极(125)，其中所述第一电极通过所述电阻开关层的第一部分与所述第三电极的第一侧分隔开，且所述第二电极通过所述电阻开关层的第二部分与所述第三电极的第二侧分隔开。还提供了相应的制造方法。
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公开(公告)号：CN101292345B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200680039243.X
申请日：2006-09-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及包括倒置源极/漏极金属触点的场效应晶体管(FET)，该金属触点具有位于第一较低电介质层中的较低部分和位于第二较高电介质层中的较高部分。倒置源极/漏极金属触点的较低部分具有比较高部分更大的横截面积。优选地，倒置源极/漏极金属触点的较低部分的横截面积在约0.03μm2-约3.15μm2的范围内，并且这种倒置源极/漏极金属触点与FET的栅电极以在约0.001μm-约5μm范围内的距离相分隔。
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