公开(公告)号：CN1327509C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200510063003.0

申请日：2005-04-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文杰 ,  L·徐 ,  T-D·袁 ,  C·蒂贝格

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图第一金属层，以形成构图的第一金属布线；在构图的第一金属布线上施加第一绝缘材料以形成支撑结构；通过接触印刷工艺构图第一绝缘材料；在支撑结构上沉积较低介电常数的第二绝缘材料；平面化第二绝缘材料；在平面化的第二绝缘材料上沉积抛光停止膜层，以形成多个金属柱；在抛光停止膜层上沉积第二金属层，以形成与所述柱的互连；以及构图金属层，以形成通过金属柱互连到第一金属布线的第二金属布线。

公开(公告)号：CN1677644A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510063003.0

申请日：2005-04-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文杰 ,  L·徐 ,  T-D·袁 ,  C·蒂贝格

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图第一金属层，以形成构图的第一金属布线；在构图的第一金属布线上施加第一绝缘材料以形成支撑结构；通过接触印刷工艺构图第一绝缘材料；在支撑结构上沉积较低介电常数的第二绝缘材料；平面化第二绝缘材料；在平面化的第二绝缘材料上沉积抛光停止膜层，以形成多个金属柱；在抛光停止膜层上沉积第二金属层，以形成与所述柱的互连；以及构图金属层，以形成通过金属柱互连到第一金属布线的第二金属布线。