公开(公告)号：CN1881576A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610091839.6

申请日：2006-06-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·蒂贝格 ,  R·L·威斯涅夫 ,  刘小虎 ,  S·M·罗斯纳格尔 ,  G·W·伯尔 ,  C·科塔德拉曼 ,  C·H·兰

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L23/5252 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路中的可逆熔丝结构，通过采用具有与过孔接触的相变材料短细线的熔丝单元以及能够使电流流经相变材料线(熔丝单元)的线结构获得。使电流流经熔丝单元，以通过将结晶态下的相变材料加热到熔点然后将该材料快速淬火至非晶态，使材料从低阻材料转变为高阻材料。通过使低电流流经熔丝单元以使高阻非晶材料转变为低阻结晶材料，获得可逆编程。集成合适的传感电路以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。

公开(公告)号：CN1677644A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510063003.0

申请日：2005-04-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文杰 ,  L·徐 ,  T-D·袁 ,  C·蒂贝格

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图第一金属层，以形成构图的第一金属布线；在构图的第一金属布线上施加第一绝缘材料以形成支撑结构；通过接触印刷工艺构图第一绝缘材料；在支撑结构上沉积较低介电常数的第二绝缘材料；平面化第二绝缘材料；在平面化的第二绝缘材料上沉积抛光停止膜层，以形成多个金属柱；在抛光停止膜层上沉积第二金属层，以形成与所述柱的互连；以及构图金属层，以形成通过金属柱互连到第一金属布线的第二金属布线。

公开(公告)号：CN100481435C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610091839.6

申请日：2006-06-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·蒂贝格 ,  R·L·威斯涅夫 ,  刘小虎 ,  S·M·罗斯纳格尔 ,  G·W·伯尔 ,  C·科塔德拉曼 ,  C·H·兰

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L23/5252 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路中的可逆熔丝结构，通过采用具有与过孔接触的相变材料短细线的熔丝单元以及能够使电流流经相变材料线(熔丝单元)的线结构获得。使电流流经熔丝单元，以通过将结晶态下的相变材料加热到熔点然后将该材料快速淬火至非晶态，使材料从低阻材料转变为高阻材料。通过使低电流流经熔丝单元以使高阻非晶材料转变为低阻结晶材料，获得可逆编程。集成合适的传感电路以读取熔丝中储存的信息，其中使用所述传感电路来启动或截止电路。

公开(公告)号：CN1327509C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200510063003.0

申请日：2005-04-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文杰 ,  L·徐 ,  T-D·袁 ,  C·蒂贝格

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造低介电常数半导体的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一金属层；构图第一金属层，以形成构图的第一金属布线；在构图的第一金属布线上施加第一绝缘材料以形成支撑结构；通过接触印刷工艺构图第一绝缘材料；在支撑结构上沉积较低介电常数的第二绝缘材料；平面化第二绝缘材料；在平面化的第二绝缘材料上沉积抛光停止膜层，以形成多个金属柱；在抛光停止膜层上沉积第二金属层，以形成与所述柱的互连；以及构图金属层，以形成通过金属柱互连到第一金属布线的第二金属布线。