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公开(公告)号：CN111295771A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880071062.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底之上沉积绝缘层，蚀刻绝缘层以形成用于接收第一导电材料的多个沟槽，在多个沟槽中的至少一个沟槽之上形成电阻切换存储器元件，电阻切换存储器元件具有形成在其上的导电盖，以及在沟槽之上沉积电介质盖。该方法还包括蚀刻绝缘层的部分以暴露形成在电阻切换存储器元件上方的电介质盖的一部分，蚀刻电介质盖的暴露部分以暴露电阻切换存储器元件的导电盖，以及形成与导电盖的暴露部分直接接触的阻挡层。
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