Patent search ap:("国际商业机器公司") AND inv:"C·佩尼" Page 1

1.

发明公开
水平RRAM装置及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116636325A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180077847.8

申请日：2021-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 , C·佩尼 , N·A·兰齐洛 , 金永硕 , L·克莱文杰

IPC: H10B63/00 , H10N70/20

Abstract: 一种电阻式RAM(RRAM)装置，特别是用于交叉式阵列，其包括位于第一电极(110A)与第二电极(HOB)之间的电介质层(115)，电阻开关层(120)，以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极(125)，其中所述第一电极通过所述电阻开关层的第一部分与所述第三电极的第一侧分隔开，且所述第二电极通过所述电阻开关层的第二部分与所述第三电极的第二侧分隔开。还提供了相应的制造方法。

Patent Agency Ranking