公开(公告)号：CN1630077A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410092680.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 ,  马修·伊尔·科尔伯恩 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  杰弗里·科蒂斯·海德里克 ,  黄遏明 ,  考什克·阿伦·库马尔 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  凯利·马龙 ,  昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 ,  萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 ,  虞蓉卿

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。

公开(公告)号：CN101000904A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710001838.2

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 尼古拉斯·C.·弗勒 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76829

Abstract: 本文提供了一种互连结构，其具有最小化学计量改变的有机硅酸盐玻璃层间介电材料和可选的完整有机粘附促进剂，其用在半导体器件中。由于与常规使用的那些结构相比，该互连结构的叠层的有效介电常数降低，因此该互连结构能够提供改善的器件性能、功能和可靠性，这是因为在灰化图形化材料之前，在完成阻挡层开口步骤期间，使用了沉积到电介质和可选的有机粘附促进剂上的牺牲聚合物材料。该牺牲膜在其中去除聚合物膜的随后的灰化步骤期间，保护电介质和可选的有机粘附促进剂不改变/消耗。

公开(公告)号：CN100479146C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200710001838.2

申请日：2007-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 尼古拉斯·C.·弗勒 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76829

Abstract: 本文提供了一种互连结构，其具有最小化学计量改变的有机硅酸盐玻璃层间介电材料和可选的完整有机粘附促进剂，其用在半导体器件中。由于与常规使用的那些结构相比，该互连结构的叠层的有效介电常数降低，因此该互连结构能够提供改善的器件性能、功能和可靠性，这是因为在灰化图形化材料之前，在完成阻挡层开口步骤期间，使用了沉积到电介质和可选的有机粘附促进剂上的牺牲聚合物材料。该牺牲膜在其中去除聚合物膜的随后的灰化步骤期间，保护电介质和可选的有机粘附促进剂不改变/消耗。

公开(公告)号：CN100416820C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410092680.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 ,  马修·伊尔·科尔伯恩 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  杰弗里·科蒂斯·海德里克 ,  黄遏明 ,  考什克·阿伦·库马尔 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  凯利·马龙 ,  昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 ,  萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 ,  虞蓉卿

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。