公开(公告)号：CN1801463A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510125167.1

申请日：2005-11-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  考什克·阿郎·库马尔 ,  凯利·马罗尼

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76831

Abstract: 受损伤的多孔OSG层和其它的损伤可以被化学修复。在亚90nmILD内的多孔OSG中，化学修复是特别有利的。例如，可以借助于使损伤与粘合促进剂发生反应来进行化学修复，此粘合促进剂的“k”值与损伤材料中所希望的“k”值可比拟。可以对损伤的多孔OSG层(亲水性的)进行控制，以便防止它们允许潮气到达铜线。在具有多孔OSG几何形状的ILD中，不希望有的铜外扩散能够得到控制。