公开(公告)号：CN100416820C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410092680.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 ,  马修·伊尔·科尔伯恩 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  杰弗里·科蒂斯·海德里克 ,  黄遏明 ,  考什克·阿伦·库马尔 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  凯利·马龙 ,  昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 ,  萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 ,  虞蓉卿

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。

公开(公告)号：CN1630077A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410092680.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 ,  马修·伊尔·科尔伯恩 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  杰弗里·科蒂斯·海德里克 ,  黄遏明 ,  考什克·阿伦·库马尔 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  凯利·马龙 ,  昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 ,  萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 ,  虞蓉卿

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。