一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109861662A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910111345.7

    申请日:2019-02-12

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。该薄膜体声波谐振器包括:支撑层、谐振器本体和支撑体;薄膜体声波谐振器包括器件区和围绕器件区的非器件区,谐振器本体位于器件区内的支撑层上;非器件区内的支撑层包括多个条状的弯折结构,弯折结构向背离谐振器本体的一侧弯折;非器件区包括第一子区域和围绕第一子区域的第二子区域,支撑体设置于第二子区域内的所述支撑层背离谐振器本体的一侧;其中,弯折结构的延伸方向与支撑层的径向方向之间的夹角不为零,且位于谐振器本体同一侧的弯折结构相互之间无交叠。本实施例提供的薄膜体声波谐振器,可以得到厚度更小、残余应力更低的支撑层,进而提高谐振频率。

    一种具有三层钝化层的晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117712167A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311604038.5

    申请日:2023-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种具有三层钝化层的晶体管,所述具有三层钝化层的晶体管结构自上而下依次包括金刚石钝化层、功能层、漂移层、衬底;其中,所述功能层包括源极、漏极和栅极;所述源极和漏极设置在漂移层的两侧,所述源极和漏极之间沉积有栅介质层;所述栅介质层上方设置有栅极,所述栅极和源极之间,以及栅极和漏极之间,均自上而下依次沉积第二钝化层和第一钝化层;本发明提出的器件具有三层钝化层可以大大提高了器件的击穿电压特性,降低了反向漏电流,整体提高了器件的电学性能;首先在氧化镓表面的第一钝化层可以起到界面屏障的作用,防止氧化镓表面与环境中的物质相互作用。

    一种气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111239224A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010138796.2

    申请日:2020-03-03

    Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法,该气体传感器包括:衬底;至少两个气体传感单元,位于半导体衬底上,气体传感单元包括异质结,位于异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极,其中,气体传感单元之间的异质结相互隔断,功能性膜层用于探测气体,且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同,钝化层,覆盖除功能性膜层以外的全部器件区域,实现将多个不同功能的气体传感器集成,降低成本的效果。

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