公开(公告)号：CN120050954A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510187728.8

申请日：2025-02-20

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  李沐峻 ,  汪青 ,  汪晓慧 ,  于浩哲 ,  汤欣怡 ,  胡典钢

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本发明提供了一种基于沟槽结构的氧化镓SBD器件，包括：阴极、Ga2O3衬底、沟槽结构；其中，沟槽结构：所述沟槽结构包括第一Ga2O3外延层，所述第一Ga2O3外延层沉积在所述Ga2O3衬底上表面；所述第一Ga2O3外延层的上表面沉积有若干个第二Ga2O3外延层，相邻的所述第二Ga2O3外延层之间形成沟槽；位于所述沟槽的下方的所述第一Ga2O3外延层的内部设置有第一高阻区；通过在沟槽区域进行Mg离子扩散，在第一Ga2O3外延层、所述第二Ga2O3外延层形成高阻区，能对沟槽底部和侧壁的电子进行耗尽，从而增强器件性能，有效降低阳极区域的尖峰电场和漏电，提升器件的击穿特性。

公开(公告)号：CN117457482A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311214427.7

申请日：2023-09-19

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 傅淳 ,  汪青 ,  于洪宇 ,  唐楚滢 ,  李沐峻

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/324 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明提供了一种提高p‑GaN源漏区域掺镁浓度的方法，包括如下步骤：S1.在p‑GaN外延结构材料的表面镀SiO2硬掩模1，露出源漏极上表面的掺杂区域；S2.在源漏极上表面的掺杂区域上旋涂掺Mg的SOG涂层，然后去除SOG中的水分；S3.在p‑GaN外延结构材料表面再镀一层SiO2硬掩模2，盖住掺Mg的SOG涂层，然后在惰性气氛下进行高温处理；S4.去除SiO2硬掩模1、SiO2硬掩模2和残留的SOG。本发明通过在p‑GaN源漏极上上涂覆含Mg的SOG，在高温热处理后，促进SOG中的Mg掺杂向氮化镓内部扩散，实现特定区域的Mg浓度提升。该方法是一种方法简单、时间较短、与表面图形化的适配程度较高、低损伤且有效的源漏区域Mg浓度提升方法。