公开(公告)号：CN112924515A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110077044.4

申请日：2021-01-20

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 李汶懋 ,  罗伯特·索科洛夫斯基 ,  于洪宇 ,  汪青

IPC: G01N27/416

Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，其中气体传感器包括：依次层叠的半导体衬底、缓冲层、势垒层、帽层，以及位于势垒层远离沟道层一侧的源极和漏极；还包括耐温绝缘层，耐温绝缘层设置于源极和漏极远离势垒层的一侧；耐温绝缘层覆盖势垒层和沟道层沿传感器厚度方向的侧壁，且覆盖势垒层未设置源极和漏极的区域；还包括栅极，栅极位于耐温绝缘层远离半导体衬底的一侧，且位于源极和漏极之间的感应区域。本发明实施例提供的技术方案提高了气体传感器的耐温性，扩大了测试温度的范围，增加了检测气体的范围。

公开(公告)号：CN111239224A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010138796.2

申请日：2020-03-03

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 李汶懋 ,  于洪宇 ,  罗伯特·索科洛夫斯基 ,  汪青 ,  何明浩

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：衬底；至少两个气体传感单元，位于半导体衬底上，气体传感单元包括异质结，位于异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，气体传感单元之间的异质结相互隔断，功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同，钝化层，覆盖除功能性膜层以外的全部器件区域，实现将多个不同功能的气体传感器集成，降低成本的效果。

公开(公告)号：CN119730263A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411903150.3

申请日：2024-12-23

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  罗伯特·索科洛夫斯基 ,  李汶懋 ,  胡乔宇 ,  汪青

IPC: H10D8/60 ,  H10D62/10 ,  H10D8/01

Abstract: 本申请涉及一种垂直氮化镓肖特基器件结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该垂直氮化镓肖特基器件结构包括阳极、阴极、边缘终止结构，以及沿厚度方向依次层叠的非本征衬底层、缓冲层、N+通道层、N‑漂移层，边缘终止结构覆盖N‑漂移层的侧壁以及部分上表面；阳极位于N‑漂移层的其余部分上表面并延伸至边缘终止结构的部分上表面形成阳极场板，阴极位于N+通道层未被N‑漂移层覆盖的部分表面；其中，边缘终止结构的材料包括p型半导体氧化物。通过设置具有特定结构和材料的边缘终止结构，且于边缘终止结构表面设置阳极场板，两者共同作用，能够有效控制阳极边缘的电流分布，减少电流拥挤，进而有效提高器件的反向击穿电压。