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公开(公告)号：CN106449853A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610893991.X
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器。器件结构包括：蓝宝石衬底；在衬底上制作矩形敏感元和补偿元，补偿元在敏感元任一侧，敏感元剖面呈倒凹形，与衬底之间有空气夹层，补偿元直接制作在衬底上；敏感元与补偿元矩形短边的内外两侧各制作电极端；敏感元与补偿元之间临近的电极连通形成公共电极，作为信号引出端。该结构使得热敏探测器的响应率大大提高；“亮”补偿元的设计不仅满足了对环境温度波动的补偿，而且有效降低了工艺制作难度。
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公开(公告)号：CN103849843A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020952.X
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种具有五靶头的磁控共溅射设备，本发明磁控溅射设备在腔体内设置有三个溅射靶、基片台、基片台支架、基片台挡板。所述的三个溅射靶包括两个单靶头溅射靶和一个三靶头溅射靶，可通过旋转安装于所述的腔体外侧的转轮把手选择溅射靶材。所述的基片台支架用于支撑基片台，所述的基片台挡板安装在基片台上方。本发明提供的磁控溅射设备，可实现五种溅射靶材料单独溅射或三靶共聚焦溅射功能。
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公开(公告)号：CN102134491A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010565046.X
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法，氮化镓表面腐蚀液由浓度为1±0.1摩尔/升的氢氧化钾溶液加热到35摄氏度后溶解进浓度为2±0.2摩尔/升的碳酸钾配制而成，腐蚀液的优点在于：腐蚀工艺所需的温度低、腐蚀后氮化镓表面状态好。
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公开(公告)号：CN1210446C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03115642.8
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。本发明的最大优点在于对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。
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公开(公告)号：CN115513315A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211112869.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法，碲镉汞探测器芯片包括衬底、环氧树脂胶、p型光敏层、n型离子注入层、钝化层、n型电极层和p型电极层，p型光敏层是Hg1‑xCdxTe组分渐变层，沿背离衬底方向依次包括Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层和Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层，Cd组分x从高到低由Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层的上表面渐变至Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层的下表面。本发明芯片的n型离子注入层形成在Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层内，渐变带隙引入的较强内建电场通过提高空穴的漂移速度，减少空穴在空间电荷区的堆积，同时抑制p区载流子的扩散运动，降低pn结对p区光生电子的收集效率，降低空间电荷区的载流子浓度，提高芯片饱和阈值，实现室温零偏置电压下工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109238475A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810945362.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法，包括一双抛蓝宝石衬底；磁控溅射法生长的SiO2桥墩；一锰钴镍氧薄膜材料；制作成弯曲腿结构的欧姆接触电极。弯曲腿与锰钴镍材料下方的牺牲层释放后，形成自支撑的悬空结构。该结构不仅降低了光敏面与下方衬底之间直接的热传导，而且有效降低了电极与衬底之间的热传导，使得热敏探测器的响应率大大提高。
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公开(公告)号：CN103849843B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410020952.X
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种具有五靶头的磁控共溅射设备，本发明磁控溅射设备在腔体内设置有三个溅射靶、基片台、基片台支架、基片台挡板。所述的三个溅射靶包括两个单靶头溅射靶和一个三靶头溅射靶，可通过旋转安装于所述的腔体外侧的转轮把手选择溅射靶材。所述的基片台支架用于支撑基片台，所述的基片台挡板安装在基片台上方。本发明提供的磁控溅射设备，可实现五种溅射靶材料单独溅射或三靶共聚焦溅射功能。
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公开(公告)号：CN102134491B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010565046.X
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法，氮化镓表面腐蚀液由浓度为1±0.1摩尔/升的氢氧化钾溶液加热到35摄氏度后溶解进浓度为2±0.2摩尔/升的碳酸钾配制而成，腐蚀液的优点在于：腐蚀工艺所需的温度低、腐蚀后氮化镓表面状态好。
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公开(公告)号：CN1885051A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610027355.5
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种基于多样品霍尔效应测试设备，系为多片样片霍尔效应测试设备，主要应用于批量半导体材料电学输运性能的测试。该设备主要由一个主系统和一个从系统及一只PC机组成。主系统主要负责测试信号的产生和接收，测试过程中被测样品的自动切换；从系统主要负责提供测试平台和测试磁场。设备电学参数的测量，并将测试结果显示在测试面板上。本设备的最大的优点是可以实现多片样品的连续测量，以及对于磁场的精确控制，从而提高了测试效率和测试精度。另外可以实现半导体材料测试电极的I－V曲线测试，变磁场霍尔效应测试，以及电子数据的存储，从而自动完成批量被测样品的测试及测试结果记录的整个过程。
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公开(公告)号：CN119767805A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411961686.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种垂直型碲镉汞红外探测器及制作方法，垂直型碲镉汞红外探测器包括基板和设置于基板的上表面之上的具有阳极氧化层的碲镉汞材料层；碲镉汞材料层的下表面设置下电极，碲镉汞材料层的上表面设置上电极，基板的上表面设置有过渡电极层；其中过渡电极层与下电极通过铟柱阵列倒焊互连。本发明的垂直型碲镉汞光导器件结构，使得探测器内部的电场由水平分布改为垂直分布，大幅减小探测器电阻，在相同的偏置条件下可有效减小探测器的功耗。此外，垂直型碲镉汞探测器更容易偏置在恒压模式下，具有更好的响应线性度，对于傅里叶变换光谱仪应用具有重要意义。
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