公开(公告)号：CN1210446C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03115642.8

申请日：2003-03-04

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 萧继荣 ,  林杏潮 ,  方家熊 ,  张莉萍 ,  杨晓阳 ,  沈杰

IPC: C30B33/00 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。本发明的最大优点在于对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。

公开(公告)号：CN1072277C

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN97106727.9

申请日：1997-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张素英 ,  范宾 ,  刘普霖 ,  林杏潮 ,  沈杰

IPC: C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种石英坩埚/管涂碳方法，在清洁处理后的石英坩埚内壁上用950℃高温热解解丙酮沉积一薄层碳膜。防止了试料与石英坩埚内壁的粘连，使长成的晶体外形光滑完整，晶体易于从坩埚中倒出，石英坩埚可重复使用。碳膜隔离了试料与石英壁直接接触，防止了试料被污染和石英坩埚在高温下的变性。

公开(公告)号：CN1436880A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03115642.8

申请日：2003-03-04

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 萧继荣 ,  林杏潮 ,  方家熊 ,  张莉萍 ,  杨晓阳 ,  沈杰

IPC: C30B33/00 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。本发明的最大优点在于对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。

公开(公告)号：CN1188159A

公开(公告)日：1998-07-22

申请号：CN97106727.9

申请日：1997-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张素英 ,  范宾 ,  刘普霖 ,  林杏潮 ,  沈杰

IPC: C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种石英坩埚/管涂碳方法,在洗洁处理后的石英坩埚内壁上用950℃高温热解解丙酮沉积一薄层碳膜。防止了试料与石英坩埚内壁的粘连,使长成的晶体外形光滑完整,晶体易于从坩埚中倒出,石英坩埚可重复使用。碳膜隔离了试料与石英壁直接接触,防止了试料被污染和石英坩埚在高温下的变性。

公开(公告)号：CN2373151Y

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN98225116.5

申请日：1998-09-17

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 沈杰 ,  森杏潮 ,  范雪芬 ,  李言谨 ,  方家熊

IPC: B01D9/00

Abstract: 本实用新型提供了一种高安全可靠的晶体生长安瓿,是一个石英双层结构坩埚,内层的试料安瓿为供顺序封存单晶籽晶、溶剂、多晶锭和石英塞的料管真空密封而成,其下端烧接一短石英棒后再烧接一带小孔的喇叭口,试料安瓿的另一端与引导管烧接,然后将其烧接在带封底圆泡的石英外套内真空封接成带真空夹层的双层晶体生长安瓿。特别适用于经受十分恶劣的力学环境和不允许污染环境的空间微重力环境下的晶体生长。

公开(公告)号：CN2313933Y

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN97242658.2

申请日：1997-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张素英 ,  范宾 ,  林杏潮 ,  沈杰

IPC: C30B15/10

Abstract: 本实用新型提供了一种石英坩埚,在清洁处理后的石英坩埚内壁上沉积一层碳膜。防止了试料与石英坩埚内壁的粘连,使长成的晶体外形光滑完整。晶体易于从坩埚中倒出,石英坩埚可重复使用。碳膜隔离了试料与石英壁直接接触,防止了试料被污染和石英坩埚在高温下的变性。