公开(公告)号：CN109671796A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811605620.2

申请日：2018-12-26

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院

Inventor： 冯雪 ,  王志建 ,  陈颖

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856

Abstract: 一种柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法，包括下电极、氮化铝膜层及上电极，所述下电极包括铝基底，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述下电极上，所述上电极形成于所述第二氮化铝膜层上，所述第一氮化铝膜层由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成。该柔性日盲型紫外光探测器中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。

公开(公告)号：CN108735850A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710257378.3

申请日：2017-04-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨晓燕 ,  尤立星 ,  李浩 ,  王镇

IPC: H01L31/09 ,  H01L29/06 ,  G01J11/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/09 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01J11/00 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明提供一种具有辅助环的超导纳米线单光子探测器件及其制作方法，所述具有辅助环的超导纳米线单光子探测器件包括：超导纳米线单光子探测器件，具有器件有效区域；辅助环，位于所述超导纳米线单光子探测器件的表面，且位于所述器件有效区域外围；所述辅助环在显微镜物镜观测下具有与所述超导纳米线单光子探测器件不同的亮度。本发明通过在超导纳米线单光子探测器件表面设置辅助环，在光耦合时，物镜观测光穿过衬底后辅助环与超导纳米线单光子探测器件其余部分的亮度对比度明显，辅助环可以清晰分辨，器件上方的光纤所出的光在器件上产生的光斑可以很容易地对准到辅助环中心，从而也就是对准到了器件有效区域中心。

公开(公告)号：CN105047674B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201510477837.X

申请日：2015-08-06

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 孙建明 ,  牛犇

IPC: H01L27/12 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，该阵列基板包括：衬底基板和形成于衬底基板上的至少一个紫外检测结构，所述紫外检测结构包括：感光图形和形成于所述感光图形上的第一电极图形和第二电极图形。本发明的技术方案通过将紫外检测结构设置在阵列基板上，即直接将紫外检测结构制备于阵列基板上，因此无需进行将紫外检测结构与显示装置进行固定的工艺，从而不存在固定过程中对显示装置造成损坏的风险。

公开(公告)号：CN108376724A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810039958.X

申请日：2018-01-16

Applicant: 深圳大学

Inventor： 李凯 ,  韩舜 ,  吕有明 ,  朱德亮 ,  柳文军 ,  曹培江 ,  许望颖 ,  刘新科

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明实施例提供一种紫外光探测器及制备方法，涉及半导体材料和器件制备技术领域。其中，紫外光探测器包括：石英衬底、MgZnO薄膜、纳米Ag颗粒薄膜和Au薄膜，其中，所述MgZnO薄膜覆盖所述石英衬底，所述纳米Ag颗粒薄膜覆盖所述MgZnO薄膜，所述Au薄膜覆盖所述纳米Ag颗粒薄膜。通过形成纳米Ag颗粒，使得纳米Ag颗粒的震荡频率和MgZnO的带边耦合相匹配时，产生共振效应，进一步激化MgZnO的带边耦合，从而增强紫外光探测器的光电转换效率，并提高紫外光探测器的响应度。

公开(公告)号：CN104781641B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201380056207.4

申请日：2013-08-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司 ,  F·普尔科利 ,  G·亚马 ,  A·费伊 ,  G·奥布赖恩

Inventor： F·普尔科利 ,  G·亚马 ,  A·费伊 ,  G·奥布赖恩

IPC: G01J5/04 ,  G01J5/02 ,  G01J5/06 ,  G01J5/20 ,  G01J5/08

CPC classification number: H01L31/0232 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/023 ,  G01J5/024 ,  G01J5/045 ,  G01J5/046 ,  G01J5/06 ,  G01J5/0809 ,  G01J5/0853 ,  G01J5/20 ,  H01L31/09

Abstract: 在一个实施例中，MEMS传感器包括镜和与镜间隔开的吸收体，所述吸收体包括多个间隔开的导电臂，所述多个间隔开的导电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。

公开(公告)号：CN107706253A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201711025979.8

申请日：2017-10-27

Applicant: 朱秋华

Inventor： 朱秋华

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种日盲型紫外探测器及其制备方法，由石英衬底、氧化镓外延层和Au电极组成；所述石英衬底的厚度为3mm-7mm，所述氧化镓外延层生长于所述石英衬底上，厚度为250-350nm，所述Au电极的形状为圆形，厚度为40-60nm，直径为80-100nm。本发明实施例提出一种基于氧化镓薄膜的紫外探测器，采用化学气相沉积法在石英衬底上制备氧化镓外延层，采用磁控溅射法在氧化镓外延层上制备电极，解决了现有技术中氧化锌、氮化镓以及碳化硅等材料不能应用于制备紫外探测器的技术问题。

公开(公告)号：CN104428690B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201380037341.X

申请日：2013-07-10

Applicant: 西门子公司

Inventor： P.哈肯施密德 ,  E.克拉夫特 ,  C.施勒特 ,  M.斯特拉斯伯格 ,  S.沃思

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L31/16 ,  A61B6/4208 ,  G01N23/046 ,  G01T1/24 ,  G01T1/244 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14806 ,  H01L31/085 ,  H01L31/09 ,  H01L31/125 ,  H01L31/14

Abstract: 本发明涉及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)探测入射的X射线辐射的方法，其中，以具有至少1.6eV能量的附加的辐射照射用于探测的半导体材料(HL)来生成附加的电荷载体。本发明还涉及一种用于按照根据本发明的方法探测X射线辐射的直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(HL)和至少一个辐射源(Q)，该辐射源以附加的辐射照射半导体材料(HL)，其中，所述辐射具有至少1.6eV的能量，以及涉及一种具有X射线辐射探测器(C3,C5)的CT系统(C1)。

公开(公告)号：CN107256900A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710502073.4

申请日：2017-06-27

Applicant: 苏州楚博生物技术有限公司

Inventor： 瞿欢欢

IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/0328

Abstract: 本案公开了一种用于传感器的光敏材料，其电阻值随紫外线照射的强度升高而呈线性降低，它由以下重量份的材料混合烧结而成：1～3重量份的钽；18～20重量份的硫化镉；2～4重量份的硒粉；10～12重量份的硫化铝；2～4重量份的镍粉；6～8重量份的硫化铋；1～3重量份的钛粉；10～12重量份的氧化铕；1～3重量份的钌；6～8重量份的氧化锗；5～7重量份的硅粉；3～5重量份的氧化锇。本案提出了一种全新的用于光敏传感器探头的混合烧结物，该材料的电阻值随紫外线照射的强度升高而呈线性降低，且该材料灵敏度高，响应快；此外，该烧结物材料性能稳定，不易老化，能耐受高温，成本低廉，制造工艺简单。

公开(公告)号：CN107104155A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710457782.5

申请日：2017-06-16

Applicant: 苏州苏纳光电有限公司

Inventor： 黄寓洋

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请公开了一种探测器，包括具有开口的管壳、设于所述管壳内的探测器芯片、以及遮盖于所述开口的光窗盖板，所述光窗盖板与所述管壳的接触面之间通过回熔焊料连接。本申请还公开了探测器的封装方法，包括：(1)、在光窗盖板或管壳开口边缘沉积焊料；(2)、使用真空回熔或者充保护气体回熔的方法将光窗盖板或管壳焊接在一起。本发明使用这种石英或者玻璃直接封帽的方法，可以比现有使用平行缝焊等的封装方式省一步工艺，更为节省成本。

公开(公告)号：CN106952969A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710133527.5

申请日：2017-03-08

Applicant: 中山大学

Inventor： 江灏 ,  刘长山

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1868

Abstract: 本发明涉及光电子的技术领域，更具体地，涉及氮化硅钝化膜，尤其涉及一种III族氮化物光电探测器钝化膜及其制备方法。该钝化膜使用氮化硅材料，包含两层不同性质的结构：使用低比例源气体及较低功率生长的内层；使用高比例源气体及较高功率生长的外层。与现有技术相比，本发明结合了两层钝化膜各自的优点，一方面内层钝化膜可以有效降低器件表面的界面态，减少表面复合中心，阻绝漏电通道；另一方面外层钝化膜具有良好致密性，可以隔绝外界离子吸附，进一步降低漏电流，并且抑制提前击穿，从而提高器件性能。