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公开(公告)号：CN106435718B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201611063662.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆柱体杯状结构，放置在石英外管内部，靠近封闭端。石英内管是一个一端封闭，一端带有椎度开口的圆柱体结构。石英塞也有带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，与石英内管匹配，石英塞与带弹簧的不锈钢管相连。石英内管和石英塞均放置在石英外管内部，靠近封闭门。石英内管内部放置可以进行气相外延的石墨舟。该石英套管用于碲镉汞气相外延生长，实现高密闭性、快速升降温的碲镉汞气相外延生长。
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公开(公告)号：CN102181922A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110063540.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/08
Abstract: 本专利公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种石英容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。
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公开(公告)号：CN104630883A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410748474.4
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延的多功能石墨舟，该石墨舟由石墨底座、石墨盖板、石墨掩片、石墨垫片四本部分组成，石墨掩片和石墨垫片可分别放入石墨底座内，石墨盖板置于石墨掩片和石墨垫片上部，对石墨底座进行密封。该石墨舟可以用于碲镉汞气相外延生长，可以实现多片(衬底尺寸可以控制在10mm*10mm～30mm*30mm)、异型形貌(如长方形、圆形、三角形、环形等)、异型尺寸(各种不规则尺寸衬底)的碲镉汞气相外延生长。为碲镉汞选择区域生长奠定了基础，该方法可以应用于短波、中波和长波碲镉汞等温气相外延领域。
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公开(公告)号：CN103849935A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020955.3
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲化锌晶体空间生长用石英安瓿。它是一种石英双层结构安瓿。内部是样品石英坩锅，依次装入材料、石英塞子，将其在真空下熔融封装，石英坩锅两头要求平坦。然后将石英坩锅及减振材料按顺序安装，填入石英安瓿外管内，抽真空后封装成双层安瓿。它的结构安全可靠，尤其适合应用在对力学环境要求严格的空间生长实验中。
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公开(公告)号：CN103668448A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310590963.7
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法，该方法进行金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延，材料在77k温度下，金掺杂外延材料的迁移率为1.39E+02cm2/Vs，载流子浓度可以达到2×1018cm-3，为典型的p型材料。而相同条件下不进行金掺杂的迁移率为6.42E+04cm2/Vs，载流子浓度为3×1015cm-3，为典型的n型材料。因此，该方法金掺杂的激活率非常高。本方法可以提高掺杂型长波p材料电学参数的稳定性，同时该掺杂在低成本的气相外延设备里即可以实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101275281B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710172702.8
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种锌镉碲单晶的生长和退火方法以及退火专用坩埚，该方法是利用三元固熔体Zn1-xCdxTe相图的规律，通过采用富碲溶剂的方法实现在较低温度下形成Zn1-xCdxTe固溶体的饱和溶液，达到大幅度降低晶体生长温度的目的。Zn1-xCdxTe固溶体的合成是在富碲溶剂中完成的，经充分摇摆均匀化后，避免了Cd组分的局部不均匀性，同时也避免了单纯Zn1-xCdxTe固溶体合成时的局部热量集中而不易散失的问题。在生长后期借用两步退火过程来消除晶体中的Te夹杂，克服了碲溶剂生长晶体的不利因素，进一步提高晶体质量。所说的退火专用坩埚为坩埚底部带有缩颈的胞囊结构，锌棒放入胞囊中，单晶片放在胞囊上面，由于胞囊上面有缩颈，可以防止单晶片滑入胞囊中。
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公开(公告)号：CN101275281A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710172702.8
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种锌镉碲单晶的生长和退火方法以及退火专用坩埚，该方法是利用三元固熔体Zn1－xCdxTe相图的规律，通过采用富碲溶剂的方法实现在较低温度下形成Zn1－xCdxTe固溶体的饱和溶液，达到大幅度降低晶体生长温度的目的。Zn1－xCdxTe固溶体的合成是在富碲溶剂中完成的，经充分摇摆均匀化后，避免了Cd组分的局部不均匀性，同时也避免了单纯Zn1－xCdxTe固溶体合成时的局部热量集中而不易散失的问题。在生长后期借用两步退火过程来消除晶体中的Te夹杂，克服了碲溶剂生长晶体的不利因素，进一步提高晶体质量。所说的退火专用坩埚为坩埚底部带有缩颈的胞囊结构，锌棒放入胞囊中，单晶片放在胞囊上面，由于胞囊上面有缩颈，可以防止单晶片滑入胞囊中。
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公开(公告)号：CN115513315A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211112869.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法，碲镉汞探测器芯片包括衬底、环氧树脂胶、p型光敏层、n型离子注入层、钝化层、n型电极层和p型电极层，p型光敏层是Hg1‑xCdxTe组分渐变层，沿背离衬底方向依次包括Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层和Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层，Cd组分x从高到低由Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层的上表面渐变至Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层的下表面。本发明芯片的n型离子注入层形成在Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层内，渐变带隙引入的较强内建电场通过提高空穴的漂移速度，减少空穴在空间电荷区的堆积，同时抑制p区载流子的扩散运动，降低pn结对p区光生电子的收集效率，降低空间电荷区的载流子浓度，提高芯片饱和阈值，实现室温零偏置电压下工作。
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公开(公告)号：CN106435718A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611063662.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的石英套管，该石英套管由99.99999％的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭，一端开口的圆柱体结构，开口端与封闭门相连。石英限位管为圆柱体杯状结构，放置在石英外管内部，靠近封闭端。石英内管是一个一端封闭，一端带有椎度开口的圆柱体结构。石英塞也有带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，与石英内管匹配，石英塞与带弹簧的不锈钢管相连。石英内管和石英塞均放置在石英外管内部，靠近封闭门。石英内管内部放置可以进行气相外延的石墨舟。该石英套管用于碲镉汞气相外延生长，实现高密闭性、快速升降温的碲镉汞气相外延生长。
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公开(公告)号：CN103855251A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020943.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327 , H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法，该方法工艺上采用光刻套刻结合ICP干法刻蚀的手段，然后采用化学湿法腐蚀制备出曲率半径均匀的微透镜线列。本方法为优化单片集成红外微透镜列阵的聚光能力提供了依据，对于提高器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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