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公开(公告)号：CN101728450B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910225371.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该碲镉汞晶片双面精抛处理且长有阳极氧化膜，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。
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公开(公告)号：CN113013026A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110100756.3
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/265 , H01L31/18 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种用于提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法。本发明利用碲镉汞半导体材料中Te‑Hg键结合能低的特点，通过氩离子束刻蚀在n型碲镉汞体内产生大量的汞填隙原子，在表面形成汞原子的稳态扩散源，汞填隙原子在体内扩散的同时，对材料内部的汞空位进行填充，实现对n型碲镉汞载流子浓度的有效调整；刻蚀过程中，汞填隙原子在氩离子的碰撞中获得能量，扩散过程中能量的释放也会改善材料内部可能存在的应力和缺陷，从而提高n型碲镉汞载流子迁移率。本方法操作简单，工艺周期短，采用该方法处理后的n型材料载流子输运参数得到明显改善，大大提高了材料的成品率。
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公开(公告)号：CN101728403B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910226302.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60 , G01J1/02
CPC classification number: H01L2224/73204
Abstract: 本专利公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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公开(公告)号：CN101866974B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN101997052A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010276213.9
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器，其特征在于：该曲线延伸电极由内弧形结构区和电极延伸结构区组成，内弧形结构区和电极延伸结构区两者交界处为一个半椭圆曲线。采用该曲线延伸电极结构的碲镉汞芯片具有如下的优点：曲线延伸电极结构更加简单，延伸性更好，这种电极结构不仅可使用在大尺寸的光敏面器件上，而且可用于井伸电极所不能使用的小尺寸光敏面器件上；曲线延伸电极的电极可焊接区域面积更大，能够更加方便的进行电极引出操作；曲线延伸电极的电极引出可实行机械化操作，从而保证了焊点的一致性和稳定性，提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN101866974A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本发明的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN113458995A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110674881.5
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明公开了一种倒装式聚四氟乙烯半导体晶片夹具，可将半导体晶片以倒置的方式夹持，包含夹具主体、夹具底板、螺母和螺杆四个结构。所述夹具主体的中心设计了一个凹腔，用于放置半导体晶片。为了防止倒置后的晶片脱落，设计了一个夹具底板。夹具底板中心有一个中心通孔，且该中心通孔直径小于半导体晶片直径。夹具主体和夹具底板通过四个螺杆连接。另外，螺杆长度的长度远大于夹具主体固定通孔和夹具底板固定通孔长度之和，螺杆顶端突出于夹具底板，起到一个支撑腿的作用，这种设计有利于溶液通过夹具底板中心通孔进行溶液交换，提高溶液反应效率。
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公开(公告)号：CN105655237A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610025472.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0209 , H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料的表面清洗方法，其包括对清洗液的选择和清洗步骤。针对碲镉汞表面存在的沾污，本发明选用MOS级三氯乙烯、溴-乙醇、清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行清洗处理。另外，合理的清洗步骤能获得较好的清洗效果。首先，本发明对碲镉汞表面进行三氯乙烯的兆声清洗，目的是去除表面有机物。然后，对碲镉汞表面进行溴-乙醇腐蚀，目的是去除表面损伤和部分沾污。最后，先后使用清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行兆声清洗，目的是去除表面离子沾污。本发明的优点是：对离子沾污的清洗效果显著，清洗效果稳定，引入新污染少。
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公开(公告)号：CN102354714A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110252229.0
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元，其结构为：在蓝宝石衬底上依次为下反射层，下绝缘层，碲镉汞光导器件层，上绝缘层A，上绝缘层B，铬层，上反射层。该参考元特征在于：蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层，器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。
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公开(公告)号：CN102004002A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010276188.4
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有参考元结构的碲镉汞红外光电导探测器，其参考元具有以下结构：衬底；环氧胶层；第一面碲镉汞氧化层；体材料碲镉汞层；第二面碲镉汞氧化层；二氧化硅绝缘层；负胶绝缘层；金属铟层；金属金层。该参考元特征在于：在边缘光敏面上覆盖双层绝缘层、红外光吸收层和红外光反射层。这种具有参考元的碲镉汞红外探测器的优点是：解决碲镉汞红外探测器温度飘移的问题，采用差分电路来取代温度补偿电路，这样不仅可以减少环境温度变化对于碲镉汞探测器准确性的影响，而且可以极大的简化电路结构；不仅可用于低速运动物体的温度测量，而且可用于高速运动物体的温度测量；响应速度快，具有自补偿功能。
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