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公开(公告)号：CN1210446C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03115642.8
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。本发明的最大优点在于对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。
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公开(公告)号：CN1327047C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410066229.1
申请日：2004-09-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法，该方法的特征是：在已有的碲镉汞N型热处理方法前插入一种低汞压热处理方法，这种方法能有效消除与Hg、Cd过量相关的位错，使材料成品率和性能得到提高。本发明的最大优点在于对仪器设备没有作任何改变，只是在工艺上略作变动，却获得很好的效果。
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公开(公告)号：CN1605661A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410066229.1
申请日：2004-09-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法，该方法的特征是：在已有的碲镉汞N型热处理方法前插入一种低汞压热处理方法，这种方法能有效消除与Hg、Cd过量相关的位错，使材料成品率和性能得到提高。本发明的最大优点在于对仪器设备没有作任何改变，只是在工艺上略作变动，却获得很好的效果。
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公开(公告)号：CN1436880A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03115642.8
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。本发明的最大优点在于对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。
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